BESCHWERDE Ăźber den Verlauf des ohm'schen Eingaswi derstand

Am 29.03.2019 um 16:49 schrieb Hartmut Kraus:
Na und - seit wann weißt du, dass es ...zigmal bessere gibt, also was
diskutieren wir hier eigentlich noch ...
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Die hochfrequenten Eingangsimpedanz ist bei allen etwa gleich schlecht,
aber, Kapazitäten und Bahnwiderstand und damit obere Grenzfrequen in der
Schaltung sind schon verschieden.

In teuren Oskars sitzt an der Stelle Deines JFETs ein OP, z.B. ein
AD8009. Kostet 8 Euro oder was weiss ich ...
 
Am 29.03.19 um 16:46 schrieb Leo Baumann:
Am 29.03.2019 um 16:41 schrieb Hartmut Kraus:
Das ist keine Schaltung von mir, das mĂśchte ich mir verbitten! ;)
Solche lahmen FETs einbauen und das Ganze dann als 1MOhm / 10MHz
verkaufen, ist schon eine Leistung.- ;)

Ok, die Schaltung des Voltcraft Oskars. -

Alle JFETs sind da etwa gleich bezĂźglich der Eingangsimpedanz, darum
habe ich ja diesen Threat aufgemacht. Nur je nach Typ haben die kleinere
oder größere Kapazitäten und Kanalwiderstände. Aber die Eingangsimpedanz
ist bei allen bei hĂśheren Frequenzen eine Katastrophe (in meinen Augen).
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Na und - seit wann weißt du, dass es ...zigmal bessere gibt, also was
diskutieren wir hier eigentlich noch ...
 
Am 29.03.2019 um 16:45 schrieb Hartmut Kraus:
> der mĂźsste doch auch auf hĂśhere Eingangsimpedanz zu trimmen sein ...

Ich suche schon lange nach einer LĂśsung, darum dieser Thread.
 
Am 29.03.2019 um 16:41 schrieb Hartmut Kraus:
Das ist keine Schaltung von mir, das mĂśchte ich mir verbitten! ;) Solche
lahmen FETs einbauen und das Ganze dann als 1MOhm / 10MHz verkaufen, ist
schon eine Leistung.- ;)
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Ok, die Schaltung des Voltcraft Oskars. -

Alle JFETs sind da etwa gleich bezĂźglich der Eingangsimpedanz, darum
habe ich ja diesen Threat aufgemacht. Nur je nach Typ haben die kleinere
oder größere Kapazitäten und Kanalwiderstände. Aber die Eingangsimpedanz
ist bei allen bei hĂśheren Frequenzen eine Katastrophe (in meinen Augen).
 
Am 29.03.19 um 16:41 schrieb Hartmut Kraus:
Am 29.03.19 um 16:24 schrieb Leo Baumann:
Am 29.03.2019 um 16:20 schrieb Horst-Dieter Winzler:
Am 29.03.19 um 16:05 schrieb Leo Baumann:
Am 29.03.2019 um 16:02 schrieb Horst-Dieter Winzler:
Hallo Leo, das verwendete Schaltsymbol stellt einen PChanel JFET dar.

Nein, habe ich gerade verifiziert. Pfeil rein ist ein n-Kanal-Fet.

Mein Einwand bezieht sich auf das Gate, welches immer direkt
gegenĂźber dem Source ist. ;-)

https://de.wikipedia.org/wiki/Sperrschicht-Feldeffekttransistor


Beim 2N5485 ist es egal wie Du den einbaust, siehe Datenblatt, das
steht da. In der Schaltung von Hartmut ist der entgegen dem Datenblatt
invers eingebaut. Wir haben darĂźber diskutiert, darum ist der da
invers in der Simulation.

Das ist keine Schaltung von mir, das mĂśchte ich mir verbitten! ;) Solche
lahmen FETs einbauen und das Ganze dann als 1MOhm / 10MHz verkaufen, ist
schon eine Leistung.- ;)
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Aber der Ansatz scheint mir im Prinzip erst mal richtig zu sein: Als
erste Stufe ein Sourcefolger, also ein Impedanzwandler, der mĂźsste doch
auch auf hĂśhere Eingangsimpedanz zu trimmen sein ...
 
Am 29.03.2019 um 16:59 schrieb Hartmut Kraus:
> Beeindruckend. ;)

Ja, der OP ist beeindruckend.

https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/AD8009.pdf


Und was fĂźr einen Eingang hat der wohl? Lass' mich mal raten: Doch keine
FETs? ;)
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Der hat einen Eingang mit bipolaren Transistoren.

Üblicherweise haben OPs aber einen Differenzverstärker als
Eingangsstufe, vielleicht solltest du mal in dieser Richtung simulieren ...
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www.leobaumann.de/newsgroups/AD8009_Zin.png
 
Am 29.03.19 um 16:48 schrieb Leo Baumann:
Am 29.03.2019 um 16:45 schrieb Hartmut Kraus:
der mĂźsste doch auch auf hĂśhere Eingangsimpedanz zu trimmen sein ...

Ich suche schon lange nach einer LĂśsung, darum dieser Thread.
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Der folgende Link zeigt eine LĂśsung mit JFET und bipolaren Transistor
als Impedanzwandler.

http://www.wumpus-gollum-forum.de/forum/thread.php?board=58&thread=283

--
---hdw---
 
Am 29.03.2019 um 17:48 schrieb Horst-Dieter Winzler:
Der folgende Link zeigt eine LĂśsung mit JFET und bipolaren Transistor
als Impedanzwandler.

http://www.wumpus-gollum-forum.de/forum/thread.php?board=58&thread=283
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Ja, danke die Schaltungen kenne ich alle. Ändert aber nichts an der
(ich) miserablen Eingangsimpedanzen des 1. FETs bei hĂśheren Frequenzen.
 
Am 29.03.19 um 17:52 schrieb Leo Baumann:
Am 29.03.2019 um 17:48 schrieb Horst-Dieter Winzler:
Der folgende Link zeigt eine LĂśsung mit JFET und bipolaren Transistor
als Impedanzwandler.

http://www.wumpus-gollum-forum.de/forum/thread.php?board=58&thread=283

Ja, danke die Schaltungen kenne ich alle. Ändert aber nichts an der
(ich) miserablen Eingangsimpedanzen des 1. FETs bei hĂśheren Frequenzen.
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Bei steigende Frequenz werden Kapazitäten nunmal niederohmig. Aber das
betrifft alle Schaltungen.
Was also hast du dir vorgestellt und wofĂźr?

--
---hdw---
 
Am 29.03.2019 um 18:09 schrieb Horst-Dieter Winzler:
Bei steigende Frequenz werden Kapazitäten nunmal niederohmig. Aber das
betrifft alle Schaltungen.
Was also hast du dir vorgestellt und wofĂźr?
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Nochmal:

Abgesehen von den Kapazitäten hat die Eingangsimpedanz eines FET,
MOSFET, GaAs-FET oder einer RĂśhre auch einen Realteil.

Um den geht es mir. Der fällt mit steigender Frequenz rapide ab.

Beispiel: GaAs-FET, das Teil mit dem mir hochohmigsten Realteil bei
hĂśheren Frequenzen

www.leobaumann.de/newsgroups/GaAs_Fet_Zin.png

Gruß
 
Am 29.03.19 um 18:19 schrieb Leo Baumann:
Am 29.03.2019 um 18:09 schrieb Horst-Dieter Winzler:
Bei steigende Frequenz werden Kapazitäten nunmal niederohmig. Aber das
betrifft alle Schaltungen.
Was also hast du dir vorgestellt und wofĂźr?

Nochmal:

Abgesehen von den Kapazitäten hat die Eingangsimpedanz eines FET,
MOSFET, GaAs-FET oder einer RĂśhre auch einen Realteil.

Um den geht es mir. Der fällt mit steigender Frequenz rapide ab.

Beispiel: GaAs-FET, das Teil mit dem mir hochohmigsten Realteil bei
hĂśheren Frequenzen

www.leobaumann.de/newsgroups/GaAs_Fet_Zin.png

Gruß
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Wenn ich mich jetzt nicht irre, hängt der Realteil weitgehend von der
Geometrie des Verstärkerelements ab.
Wie dem auch sei, die elektr. Umgebung reduziert ihre Impedanzen ebenfalls.

--
---hdw---
 
Am 29.03.2019 um 18:31 schrieb Horst-Dieter Winzler:
Wenn ich mich jetzt nicht irre, hängt der Realteil weitgehend von der
Geometrie des Verstärkerelements ab.
Wie dem auch sei, die elektr. Umgebung reduziert ihre Impedanzen ebenfalls.
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Ich verfluche die Halbleiterphysiker mal ;)

Also, das interessiert mich allgemein und im Besonderen im Zusammenhang
mit den aktiven Antennen, in deren Theorie zur Berechnung der Länge des
Passivteils diese Daten mathematisch eingehen.

Alles Wunschdenken von mir ...
 
Am 29.03.19 um 18:36 schrieb Leo Baumann:
Am 29.03.2019 um 18:31 schrieb Horst-Dieter Winzler:
Wenn ich mich jetzt nicht irre, hängt der Realteil weitgehend von der
Geometrie des Verstärkerelements ab.
Wie dem auch sei, die elektr. Umgebung reduziert ihre Impedanzen
ebenfalls.

Ich verfluche die Halbleiterphysiker mal ;)
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Damit wĂźrdest du viele Wissenschaftler brotlos machen. Die meisten
Wissenschaftler leben doch von der Erforschung von "Schmutzeffekte". ;-)

Also, das interessiert mich allgemein und im Besonderen im Zusammenhang
mit den aktiven Antennen, in deren Theorie zur Berechnung der Länge des
Passivteils diese Daten mathematisch eingehen.

Alles Wunschdenken von mir ...
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Bei aktiven Antenne steigt die Kapazität mit der Geometrie. Allerdings
auch die Breitbandigkeit. Und eben hohe Breitbandigkeit wĂźnscht man
sich. Die Kapazität des Verstärkerelements bildet mit der Kapazität des
Strahlers einen kapazitiven Spannungsteiler. Wegen dieses Zusammenhangs
ist eine absolut niedrige Eingangskapazität des Verstärkerelements relativ.

--
---hdw---
 
Am 29.03.2019 um 19:37 schrieb Horst-Dieter Winzler:
Deine Simulationen gestatten einen orientierenden Blick. Welche
Schaltung letztlich genutzt wird, hängt dann vom praktischen Aufbau und
dessen Daten ab. Was letztlich dann verwirklicht wird, hat nicht selten
wenig mit der Anfangsvorstellung zu tun. ;-)
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Die meisten Schaltungen davon waren bei mir in Betrieb. Ziel war passive
Antennen bezĂźglich des S/N_hf zu schlagen mit aktiven Antennen, was auch
mĂśglich ist, wenn man berĂźcksichtigt, dass Dipole und Langdrahtantennen
einen Balun bzw. HF-Transformator benĂśtigen, Ferrit, das aufgrund des
Ummagnetisierens der Weiß'schen Bezirke erheblich rauscht.

Passive Antennen fĂźr LW, KW u. UKW sind nur besser als Aktivantennen,
wenn eine starke Richtwirkung vorhanden ist.
 
Am 29.03.19 um 19:15 schrieb Leo Baumann:
Am 29.03.2019 um 18:59 schrieb Horst-Dieter Winzler:
Bei aktiven Antenne steigt die Kapazität mit der Geometrie. Allerdings
auch die Breitbandigkeit. Und eben hohe Breitbandigkeit wĂźnscht man
sich. Die Kapazität des Verstärkerelements bildet mit der Kapazität
des Strahlers einen kapazitiven Spannungsteiler. Wegen dieses
Zusammenhangs ist eine absolut niedrige Eingangskapazität des
Verstärkerelements relativ.

Ja, die Kapazität der Antenne steigt mit der Geometrie (dicke Antennen,
Keksdosenform), das ist erwĂźnscht wegen des kapazitiven Spannungsteilers
mit dem kapaz.FET-Eingang. Es sind aber elektr. kurze passive
Antennenteile. Die Bandbreite ist im Wesentlichen vom aktiven
Antennenteilabhängig, wenn man denn eine breitbandige Antenne will
(Gegenbeispiel aus der Praxis: aktive NAVTEX-Antennen).

Hier die Theorie aktiver Antennen:

www.leobaumann.de/Theorie_aktiver_Antennen.pdf

Hier einige Beispiele meiner aktiven Antennen:

www.leobaumann.de/funk.htm

Ich habe schon alles ausprobiert in diesem Zusammenhang.

Gruß
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Deine Simulationen gestatten einen orientierenden Blick. Welche
Schaltung letztlich genutzt wird, hängt dann vom praktischen Aufbau und
dessen Daten ab. Was letztlich dann verwirklicht wird, hat nicht selten
wenig mit der Anfangsvorstellung zu tun. ;-)
--
---hdw---
 
Am 29.03.2019 um 18:59 schrieb Horst-Dieter Winzler:
Bei aktiven Antenne steigt die Kapazität mit der Geometrie. Allerdings
auch die Breitbandigkeit. Und eben hohe Breitbandigkeit wĂźnscht man
sich. Die Kapazität des Verstärkerelements bildet mit der Kapazität des
Strahlers einen kapazitiven Spannungsteiler. Wegen dieses Zusammenhangs
ist eine absolut niedrige Eingangskapazität des Verstärkerelements relativ.
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Ja, die Kapazität der Antenne steigt mit der Geometrie (dicke Antennen,
Keksdosenform), das ist erwĂźnscht wegen des kapazitiven Spannungsteilers
mit dem kapaz.FET-Eingang. Es sind aber elektr. kurze passive
Antennenteile. Die Bandbreite ist im Wesentlichen vom aktiven
Antennenteilabhängig, wenn man denn eine breitbandige Antenne will
(Gegenbeispiel aus der Praxis: aktive NAVTEX-Antennen).

Hier die Theorie aktiver Antennen:

www.leobaumann.de/Theorie_aktiver_Antennen.pdf

Hier einige Beispiele meiner aktiven Antennen:

www.leobaumann.de/funk.htm

Ich habe schon alles ausprobiert in diesem Zusammenhang.

Gruß
 
Am 29.03.19 um 19:59 schrieb Leo Baumann:
Am 29.03.2019 um 19:37 schrieb Horst-Dieter Winzler:
Deine Simulationen gestatten einen orientierenden Blick. Welche
Schaltung letztlich genutzt wird, hängt dann vom praktischen Aufbau
und dessen Daten ab. Was letztlich dann verwirklicht wird, hat nicht
selten wenig mit der Anfangsvorstellung zu tun. ;-)

Aktive Antennen leben (sind besser) wegen der Rauschanpassung zwischen
elektronischem Antennenteil und passivem Antennenteil, was aufgrund der
Rauschanpassung dimensioniert wird.
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Bis weit in den KW Bereich dominieren ohnehin Menschen gemachte
StÜrungen. Deshalb reichen 10_kTo Grenzempfindlichkeit von KW Empfängern
vĂśllig aus.

--
---hdw---
 
Am 29.03.2019 um 19:37 schrieb Horst-Dieter Winzler:
Deine Simulationen gestatten einen orientierenden Blick. Welche
Schaltung letztlich genutzt wird, hängt dann vom praktischen Aufbau und
dessen Daten ab. Was letztlich dann verwirklicht wird, hat nicht selten
wenig mit der Anfangsvorstellung zu tun. ;-)
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Aktive Antennen leben (sind besser) wegen der Rauschanpassung zwischen
elektronischem Antennenteil und passivem Antennenteil, was aufgrund der
Rauschanpassung dimensioniert wird.
 
Am 29.03.2019 um 20:16 schrieb Horst-Dieter Winzler:
Bis weit in den KW Bereich dominieren ohnehin Menschen gemachte
StÜrungen. Deshalb reichen 10_kTo Grenzempfindlichkeit von KW Empfängern
vĂśllig aus.
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Das kommt darauf an wo die Empfangsstelle positioniert ist und 10 kT0
sind ja auch schon sehr gut:

www.leobaumann.de/tat0.htm
 
Am 29.03.2019 um 16:46 schrieb Leo Baumann:

Alle JFETs sind da etwa gleich bezĂźglich der Eingangsimpedanz, darum
habe ich ja diesen Threat aufgemacht. Nur je nach Typ haben die kleinere
oder größere Kapazitäten und Kanalwiderstände. Aber die Eingangsimpedanz
ist bei allen bei hĂśheren Frequenzen eine Katastrophe (in meinen Augen).
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Bei hĂśheren Frequenzen kommen Ăźblicherweise niederohmige Kabel zum
Einsatz, womit auch die Signalquellen niederohmig sein mĂźssen. Was macht
da ein Eingangswiderstand aus, der weit genug Ăźber dem Quellwiderstand
liegt?

DoDi
 
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