Workstation: erste Tests...

[Gerrit Heitsch]

On 7/29/23 11:24, Michael Schwingen wrote:

On 2023-07-28, Wolfgang Allinger <all2001@spambog.com> wrote:

Nö, s.u.

Auslesen ist destruktiv.

Nö,

Das Zurückschreiben ist allerdings im RAM integriert und passiert
automatisch am Ende des Zugriffs.
Nö,

Doch:

https://en.wikipedia.org/wiki/Dynamic_random-access_memory#Operations_to_read_a_data_bit_from_a_DRAM_storage_cell

Nö, die Ladung auf den Gates verschwindet, egal ob man sie ausliest oder
nicht. Auch beim auslesen verschwindet nix.

Beim Auslesen fliesst die Ladung aus der Zelle auf die Bitleitung, die Zelle
verliert deutlich Ladung (in Richtung VCC/2).

Eher mehr... Wir reden hier von mV die übrigbleiben wenn der Kondensator
der DRAM-Zelle mit der Leitung zum Leseverstärker verbunden ist.

\"Since the capacitance of the bit-line is typically much higher than the
capacitance of the storage cell, the voltage on the bit-line increases very
slightly if the storage cell\'s capacitor is discharged and decreases very
slightly if the storage cell is charged\" bedeutet, daß in der Zelle
praktisch nichts vom ursprünglichen Pegel übrig bleibt.

Ist das nicht vertauscht? Wenn der Kondesnator geladen war müsste die
Spannung auf der Leitung doch steigen.

Gerrit

 

[Sieghard Schicktanz]

Hallo Michael,

Du schriebst am 29 Jul 2023 09:24:10 GMT:

[DRAM]

Nö, die Ladung auf den Gates verschwindet, egal ob man sie ausliest
oder nicht. Auch beim auslesen verschwindet nix.

Ja.

Beim Auslesen fliesst die Ladung aus der Zelle auf die Bitleitung, die
Zelle verliert deutlich Ladung (in Richtung VCC/2).

Nein, zumindest nicht nennswert. Einen Leckstrom durch die Transistoren
gibt es natürlich auch im Sperrzustand.

\"Since the capacitance of the bit-line is typically much higher than the
capacitance of the storage cell, the voltage on the bit-line increases
very slightly if the storage cell\'s capacitor is discharged and decreases
very slightly if the storage cell is charged\" bedeutet, daß in der Zelle
praktisch nichts vom ursprünglichen Pegel übrig bleibt.

Nein, das bedeutet es nicht. Die Übersetzung lautet:
\"Da die Kapazität der Bit-Leitung typischerweise viel höher ist als die
Kapazität der Speicherzelle, erhöht sich die Spannung an der Bit-Leitung
nur sehr wenig, wenn der Kondensator der Speicherzelle entladen ist und
verringert sich sehr wenig, wenn die Speicherzelle geladen ist.\"

Da steht nix von Ladungs_verlust_ oder -_änderung_ _in_ der Speicherzelle,
nur was von _Spannungsänderung_ auf der _Bit-Leitung_, und die kommt durch
den Effekt der Influenz (aka kapazitive Kopplung) zustande. Was da steht
ist im wesentlichen, daß die Signale auf der Bit-Leitung aufgrund des recht
ungünstigen Kapazitätsverhältnisses nur recht schwach sind

Sobald die Leseverstärker den Zustand gelatcht haben, wird die Zelle
mit dem richtigen (gelesenen) Pegel aufgefrischt.

Das _könnte_ gemacht werden, üblicherweise wird aber sowieso regelmäßig
aufgefrischt. Das sind Kondensatoren im fF-Bereich, da kann man die
Elektronen schon fast \"an einer Hand\" abzählen. Und da Elektronen nicht
gerne dicht aufeinander sitzen, nutzen die halt jede Gelegenheit, sich
\"aus dem Staub\" zu machen und vom Gate zu verduften.

Der langsame Ladungsverlust, der einen Refresh nach typisch einigen 10 ms
benötigt, ist unabhängig davon.

Ob da inzwischen \"einige 10 ms\" noch reichen? Ich würde eher wenigstens
eine Größenordnung schneller vermuten. Einige 10 ms war wohl mal im vorigen
Jahrtausend. (Da hab\' ich das noch selber gemacht.)

--
(Weitergabe von Adressdaten, Telefonnummern u.ä. ohne Zustimmung
nicht gestattet, ebenso Zusendung von Werbung oder ähnlichem)
-----------------------------------------------------------
Mit freundlichen Grüßen, S. Schicktanz
-----------------------------------------------------------

 

[Hans-Peter Diettrich]

On 7/29/23 11:02 PM, Sieghard Schicktanz wrote:

Beim Auslesen fliesst die Ladung aus der Zelle auf die Bitleitung, die
Zelle verliert deutlich Ladung (in Richtung VCC/2).

Nein, zumindest nicht nennswert. Einen Leckstrom durch die Transistoren
gibt es natürlich auch im Sperrzustand.

\"Since the capacitance of the bit-line is typically much higher than the
capacitance of the storage cell, the voltage on the bit-line increases
very slightly if the storage cell\'s capacitor is discharged and decreases
very slightly if the storage cell is charged\" bedeutet, daß in der Zelle
praktisch nichts vom ursprünglichen Pegel übrig bleibt.

Nein, das bedeutet es nicht. Die Übersetzung lautet:
\"Da die Kapazität der Bit-Leitung typischerweise viel höher ist als die
Kapazität der Speicherzelle, erhöht sich die Spannung an der Bit-Leitung
nur sehr wenig, wenn der Kondensator der Speicherzelle entladen ist

richtig: endtladen *wird*.

und
verringert sich sehr wenig, wenn die Speicherzelle geladen ist.\"

richtig: geladen *wird*.

Da steht nix von Ladungs_verlust_ oder -_änderung_ _in_ der Speicherzelle,
nur was von _Spannungsänderung_ auf der _Bit-Leitung_, und die kommt durch
den Effekt der Influenz (aka kapazitive Kopplung) zustande.

Da steht nichts von kapazitiver Kopplung, sondern daß wegen Q=C*U die
aus der Zelle abfließende Ladung Q eine kleinere Spannungsänderung auf
der größeren Kapazität der Bitleitung + Zelle erzeugt.

Die von Dir vermutete Influenz scheidet schon deshalb aus, weil es sehr
schwer wäre, die Ladungen der vielen benachbarten Zellen zu
unterscheiden. Stattdessen wird einfach der Transistor eingeschaltet,
der die Zelle bildet und mit der Bitleitung verbindet. Auf diesem Weg
kommt die Ladung aus der Zelle auf die Bitleitung und anschließend die
Ladung für die Wiederherstellung des Zustands in die Zelle zurück.

DoDi

 

[Gerrit Heitsch]

On 7/29/23 23:02, Sieghard Schicktanz wrote:

Hallo Michael,

Du schriebst am 29 Jul 2023 09:24:10 GMT:

[DRAM]
Nö, die Ladung auf den Gates verschwindet, egal ob man sie ausliest
oder nicht. Auch beim auslesen verschwindet nix.

Ja.

Beim Auslesen fliesst die Ladung aus der Zelle auf die Bitleitung, die
Zelle verliert deutlich Ladung (in Richtung VCC/2).

Nein, zumindest nicht nennswert.

Doch, so ziemlich komplett. Der Leseverstärker ist deshalb sehr
empfindlich um erkennen zu können ob die Zelle geladen war oder nicht.

\"Since the capacitance of the bit-line is typically much higher than the
capacitance of the storage cell, the voltage on the bit-line increases
very slightly if the storage cell\'s capacitor is discharged and decreases
very slightly if the storage cell is charged\" bedeutet, daß in der Zelle
praktisch nichts vom ursprünglichen Pegel übrig bleibt.

Nein, das bedeutet es nicht. Die Übersetzung lautet:
\"Da die Kapazität der Bit-Leitung typischerweise viel höher ist als die
Kapazität der Speicherzelle, erhöht sich die Spannung an der Bit-Leitung
nur sehr wenig, wenn der Kondensator der Speicherzelle entladen ist und
verringert sich sehr wenig, wenn die Speicherzelle geladen ist.\"

Da steht nix von Ladungs_verlust_ oder -_änderung_ _in_ der Speicherzelle,
nur was von _Spannungsänderung_ auf der _Bit-Leitung_, und die kommt durch
den Effekt der Influenz (aka kapazitive Kopplung) zustande.

Kapazitive Kopplung? Bei einem DRAM?


Was da steht

ist im wesentlichen, daß die Signale auf der Bit-Leitung aufgrund des recht
ungünstigen Kapazitätsverhältnisses nur recht schwach sind

Sobald die Leseverstärker den Zustand gelatcht haben, wird die Zelle
mit dem richtigen (gelesenen) Pegel aufgefrischt.

Das _könnte_ gemacht werden,

Das _wird_ gemacht, denn das Auslesen einer DRAM-Zelle ist destruktiv.


üblicherweise wird aber sowieso regelmäßig

aufgefrischt. Das sind Kondensatoren im fF-Bereich, da kann man die
Elektronen schon fast \"an einer Hand\" abzählen. Und da Elektronen nicht
gerne dicht aufeinander sitzen, nutzen die halt jede Gelegenheit, sich
\"aus dem Staub\" zu machen und vom Gate zu verduften.

Vom Gate? Wir reden hier von DRAM, nicht von Flash oder EPROM. Ein DRAM
speichert keine Elektronen im Gate sondern in einem Kondensator der
zwischen Source (*) und einer Hilfsspannung zu finden ist. Sobald der
auf die Bitleitung geschaltet wird ist seine Ladung (fast komplett) weg
und muss aufgefrischt werden. Das erledigt der Leseverstärker gleich mit.

(*) Gate hängt an der Wordleitung und Drain an der Bitleitung.

Der langsame Ladungsverlust, der einen Refresh nach typisch einigen 10 ms
benötigt, ist unabhängig davon.

Ob da inzwischen \"einige 10 ms\" noch reichen? Ich würde eher wenigstens
eine Größenordnung schneller vermuten. Einige 10 ms war wohl mal im vorigen
Jahrtausend. (Da hab\' ich das noch selber gemacht.)

Nein, am Anfang waren das 2ms (bei einem 4116, also 128 Zyklen wenn man
RAS-only oder Dummyzugriffe benutzte) und die musste man auch einhalten,
sonst waren die Daten weg. Das wurde erst später besser, als man den
Prozess besser im Griff hatte. Bei einem 4164 waren es schon 4ms die man
Zeit hatte. Allerdings musste man dort oft einen 256 Zyklen-Refresh fahren.


Gerrit

 

[Michael Schwingen]

On 2023-07-29, Gerrit Heitsch <gerrit@laosinh.s.bawue.de> wrote:

\"Since the capacitance of the bit-line is typically much higher than the
capacitance of the storage cell, the voltage on the bit-line increases very
slightly if the storage cell\'s capacitor is discharged and decreases very
slightly if the storage cell is charged\" bedeutet, daß in der Zelle
praktisch nichts vom ursprünglichen Pegel übrig bleibt.

Ist das nicht vertauscht? Wenn der Kondesnator geladen war müsste die
Spannung auf der Leitung doch steigen.

\"if the storage cell\'s capacitor is discharged\" bezieht sich auf den Vorgang
beim Verbinden mit der Bitleitung, d.h. die Zelle war vorher aufgeladen.

cu
Michael
--
Some people have no respect of age unless it is bottled.

 

[Wolfgang Allinger]

On 30 Jul 23 at group /de/sci/electronics in article kimbvrFh43uU1@mid.individual.net
<DrDiettrich1@aol.com> (Hans-Peter Diettrich) wrote:

> richtig: endtladen *wird*.

falsch! richtig: *entladen*


Saludos (an alle Vernünftigen, Rest sh. sig)
Wolfgang

--
Ich bin in Paraguay lebender Trollallergiker reply Adresse gesetzt!
Ich diskutiere zukünftig weniger mit Idioten, denn sie ziehen mich auf
ihr Niveau herunter und schlagen mich dort mit ihrer Erfahrung!
(lt. alter usenet Weisheit) iPod, iPhone, iPad, iTunes, iRak, iDiot

 

[Michael Schwingen]

On 2023-07-29, Sieghard Schicktanz <Sieghard.Schicktanz@SchS.de> wrote:

Nein, das bedeutet es nicht. Die Übersetzung lautet:
\"Da die Kapazität der Bit-Leitung typischerweise viel höher ist als die
Kapazität der Speicherzelle, erhöht sich die Spannung an der Bit-Leitung
nur sehr wenig, wenn der Kondensator der Speicherzelle entladen ist und
verringert sich sehr wenig, wenn die Speicherzelle geladen ist.\"

Da steht nix von Ladungs_verlust_ oder -_änderung_ _in_ der Speicherzelle,
nur was von _Spannungsänderung_ auf der _Bit-Leitung_, und die kommt durch
den Effekt der Influenz (aka kapazitive Kopplung) zustande.

Nein. Du hast eine direkte Verbindung zwischen Zelle und Bitleitung über den
Kanal des eingeschalteten FETs, nix Influenz. Nach dem Ausgleichsvorgang hat
der Speicherkondensator in der Zelle und die Bitleitung die gleiche
Spannung, und aufgrund der Verhältnisse der Kapazitäten liegt die nahe an
der Precharge-Spannung der Bitleitung vor dem Verbinden (VCC/2).

https://en.wikipedia.org/wiki/Dynamic_random-access_memory#/media/FileRAM_cell_field_(details).png

Das _könnte_ gemacht werden, üblicherweise wird aber sowieso regelmäßig
aufgefrischt.

Nein, das muss zwingend gemacht werden, denn nach dem Aktivieren der row
sind die Ladungen auf den Speicherkondensatoren weg.

Das sind Kondensatoren im fF-Bereich, da kann man die
Elektronen schon fast \"an einer Hand\" abzählen. Und da Elektronen nicht
gerne dicht aufeinander sitzen, nutzen die halt jede Gelegenheit, sich
\"aus dem Staub\" zu machen und vom Gate zu verduften.

Nicht vom Gate. Du bist bei EEPROM/Flash, bei DRAM hängt der
Speicherkondensator nicht am Gate, s.o. - die Gates sind die word lines, die
für die Aktivierung benutzt werden.

Ob da inzwischen \"einige 10 ms\" noch reichen? Ich würde eher wenigstens
eine Größenordnung schneller vermuten. Einige 10 ms war wohl mal im vorigen
Jahrtausend. (Da hab\' ich das noch selber gemacht.)

Ich habe für DDR3/DDR3L immer noch 64ms pro Zelle im Kopf (für normalen
Temperaturbereich, industrial hat üblicherweise verschärfte
Refresh-Anforderungen).

Micron meint für MT60B4G4HB-48B (DDR5, 16Gb) 32ms.

cu
Michael
--
Some people have no respect of age unless it is bottled.

 

[Hanno Foest]

Am 28.07.23 um 20:21 schrieb Helmut Schellong:

[memtest]

Wer diese Tests mit 0 Fehlern durchläuft, hat mit extrem hoher
Wahrscheinlichkeit
ein vollkommen intaktes RAM.

Sehr lustig. Ich hab memtest86+ 18 Stunden laufen lassen müssen, bis
sich die ersten Fehler zeigten. Mit etwas mehr Pech hätten es auch 3
Tage (oder mehr) sein können.

Sehr lustig?
Ich schrieb nicht, daß da nur 1 Pass eingestellt werden soll.

Du schriebst auch nicht, daß da mehrere (wie viele?) eingestellt werden
sollen. Und ich schrieb nicht, daß das nur 1 Pass war.

Wenn aber nicht klar, ist, wie lange man warten muß, ist die Aussage
\"Wer diese Tests mit 0 Fehlern durchläuft, hat mit extrem hoher
Wahrscheinlichkeit ein vollkommen intaktes RAM.\" mit extrem hoher
Wahrscheinlichkeit ein vollkommener Schellongscher Bullshit.

Hanno

--
The modern conservative is engaged in one of man\'s oldest exercises in
moral philosophy; that is, the search for a superior moral justification
for selfishness.
- John Kenneth Galbraith

 

[Helmut Schellong]

Am 31.07.2023 um 00:32 schrieb Hanno Foest:

Am 28.07.23 um 20:21 schrieb Helmut Schellong:

[memtest]
Wer diese Tests mit 0 Fehlern durchläuft, hat mit extrem hoher Wahrscheinlichkeit
ein vollkommen intaktes RAM.

Sehr lustig. Ich hab memtest86+ 18 Stunden laufen lassen müssen, bis sich die ersten Fehler
zeigten. Mit etwas mehr Pech hätten es auch 3 Tage (oder mehr) sein können.

Sehr lustig?
Ich schrieb nicht, daß da nur 1 Pass eingestellt werden soll.

Du schriebst auch nicht, daß da mehrere (wie viele?) eingestellt werden sollen. Und ich schrieb
nicht, daß das nur 1 Pass war.

Wenn aber nicht klar, ist, wie lange man warten muß, ist die Aussage \"Wer diese Tests mit 0 Fehlern
durchläuft, hat mit extrem hoher Wahrscheinlichkeit ein vollkommen intaktes RAM.\" mit extrem hoher
Wahrscheinlichkeit ein vollkommener Schellongscher Bullshit.

Deine Argumentation ist Bullshit.

Wie komme ich dazu, irgendeine angeblich ideale Anzahl Passes anzugeben?!
Diese Anzahl muß frei gewählt werden, bis man die Messung in Abhängigkeit
von der Hardware und deren Verhalten für sicher hält.

Das Tool hat ein manual.pdf mit 99 Seiten in seiner .zip.
Soll ich das abschreiben und hierin posten?

Meine Aussage ist neutral und vollkommen korrekt.

|Wer diese Tests mit 0 Fehlern durchläuft, hat mit extrem hoher Wahrscheinlichkeit
|ein vollkommen intaktes RAM. (Voreingestellt sind 4 Pass.)

Ich stehe zu dieser Aussage und werde sie nicht ändern.
Habe ich das Wort \'Wahrscheinlichkeit\' in meiner Aussage geschrieben?

Hingegen Deine Aussage mit \'18 h und 72 h oder mehr\' betrifft eine seltene Sonder-Situation.
Ich verwende memtest-Tools seit Jahrzehnten und habe ohne Ausnahme Fehler-Ergebnisse
nach längstens 30 Minuten vorliegen gehabt.
Und wenn ein Lauf über bis zu etwa 5 Stunden keinen Fehler brachte, hatte dasjenige RAM
lange Zeit nachfolgend niemals einen Fehler gezeigt.
Das ist die Normal-Situation.

Du willst diese Normal-Situation umdrehen und verfälschen, so daß sich
\'Schellongscher Bullshit\' (als Behauptung) ergibt.


--
Mit freundlichen Grüßen
Helmut Schellong

 

[Hanno Foest]

Am 31.07.23 um 13:18 schrieb Helmut Schellong:

Wer diese Tests mit 0 Fehlern durchläuft, hat mit extrem hoher
Wahrscheinlichkeit
ein vollkommen intaktes RAM.

[...]

Wie komme ich dazu, irgendeine angeblich ideale Anzahl Passes anzugeben?!
Diese Anzahl muß frei gewählt werden, bis man die Messung in Abhängigkeit
von der Hardware und deren Verhalten für sicher hält.

Also wenn man eine nicht angegebene, \"frei gewählte\" Anzahl Passes
wählt, hat man mit \"extrem hoher Wahrscheinlichkeit ein vollkommen
intaktes RAM\"?

> Meine Aussage ist neutral und vollkommen korrekt.

Sie ist vielmehr völlig sinnlos, wenn nicht klar ist, ob man 1 oder 1
Mio. Passes braucht, um mit \"extrem hoher Wahrscheinlichkeit\" (welcher?)
heiles RAM zu haben. Das ist nur Schellongsches Geschwurbel, bar
jeglicher Präzision des Denkens.

Hingegen Deine Aussage mit \'18 h und 72 h oder mehr\' betrifft eine
seltene Sonder-Situation.

Kann nicht so selten sein, ich kenne von anderen ähnliche Berichte.

Ich verwende memtest-Tools seit Jahrzehnten und habe ohne Ausnahme
Fehler-Ergebnisse
nach längstens 30 Minuten vorliegen gehabt.

Du wirst einfach nicht merken, wenn dein Rechner Fehler macht.

Hanno

--
The modern conservative is engaged in one of man\'s oldest exercises in
moral philosophy; that is, the search for a superior moral justification
for selfishness.
- John Kenneth Galbraith

 

[Hanno Foest]

Am 29.07.23 um 12:07 schrieb Thomas Prufer:

Und memtest fand dann Fehler wenn memtest länger arbeitete... ich vermute
\"thermisch\", also \"irgendwas wird warm\".

Dauerte aber auch >>12h.

Warmwerden ist ein Faktor, aber man darf nicht vergessen, daß reale
Auslastung eines Rechners eh was komplett anderes ist als memtest. Wenn
deine Grafikkarte rödelt und ein paar hundert Watt zieht, ist völlig
unklar, weil von Qualität und Alter des Netzteils abhängig, wie das
andere Spannungen beeinflußt. Mit etwas Pech gehen dann Spannungen von
\"knapp\" auf \"nicht mehr ausreichend\".

Nur mal so als Beispiel. Es sind eine Menge Wechselwirkungen zwischen
Komponenten denkbar, die bei einem völlig gesunden Rechner nicht auftreten.

Hanno

--
The modern conservative is engaged in one of man\'s oldest exercises in
moral philosophy; that is, the search for a superior moral justification
for selfishness.
- John Kenneth Galbraith

 

[Bernd Mayer]

Am 31.07.23 um 13:18 schrieb Helmut Schellong:

Am 31.07.2023 um 00:32 schrieb Hanno Foest:
Am 28.07.23 um 20:21 schrieb Helmut Schellong:

[memtest]
Wer diese Tests mit 0 Fehlern durchläuft, hat mit extrem hoher

Das Tool hat ein manual.pdf mit 99 Seiten in seiner .zip.
Soll ich das abschreiben und hierin posten?

Hallo,

den User Guide zu MemTest86 kann man auch einzeln herunterladen:

https://www.memtest86.com/userguide.html


Bernd Mayer

 

[Helmut Schellong]

Am 31.07.2023 um 13:33 schrieb Hanno Foest:

Am 31.07.23 um 13:18 schrieb Helmut Schellong:

Wer diese Tests mit 0 Fehlern durchläuft, hat mit extrem hoher Wahrscheinlichkeit
ein vollkommen intaktes RAM.

[...]

Wie komme ich dazu, irgendeine angeblich ideale Anzahl Passes anzugeben?!
Diese Anzahl muß frei gewählt werden, bis man die Messung in Abhängigkeit
von der Hardware und deren Verhalten für sicher hält.

Also wenn man eine nicht angegebene, \"frei gewählte\" Anzahl Passes wählt, hat man mit \"extrem hoher
Wahrscheinlichkeit ein vollkommen intaktes RAM\"?

Ja, jeder Anwender muß die Pass-Anzahl selbst wählen.
Der Hersteller hat 4 Pass voreingestellt.
Auch die Tests sind einzeln wählbar.
Auch Konfigurations-Dateien werden berücksichtigt.

Meine Aussage ist neutral und vollkommen korrekt.

Sie ist vielmehr völlig sinnlos, wenn nicht klar ist, ob man 1 oder 1 Mio. Passes braucht, um mit
\"extrem hoher Wahrscheinlichkeit\" (welcher?) heiles RAM zu haben. Das ist nur Schellongsches
Geschwurbel, bar jeglicher Präzision des Denkens.

Dann ist ja grundsätzlich jede Information über solch ein Tool von vornherein sinnlos, weil
man die individuellen Anwendungsfälle derer, die die Information lesen, nicht hellsehen kann.

Warum kann das Tool eigentlich in sehr weiten Grenzen konfiguriert werden?
Und ich soll die einzige, für alle gleichzeitig ideale Einstellung, vorab nennen?

Hingegen Deine Aussage mit \'18 h und 72 h oder mehr\' betrifft eine seltene Sonder-Situation.

Kann nicht so selten sein, ich kenne von anderen ähnliche Berichte.

Natürlich gibt es Fälle wie Deinen mehrfach.
Der Normalfall ist jedenfalls wesentlich häufiger.

Ich verwende memtest-Tools seit Jahrzehnten und habe ohne Ausnahme Fehler-Ergebnisse
nach längstens 30 Minuten vorliegen gehabt.

Du wirst einfach nicht merken, wenn dein Rechner Fehler macht.

Meine Workstation mit zwei verschachtelten ECC-Systemen wird mir keine Fehler verheimlichen.
Das wurde doch hier mehrfach von anderen Postern berichtet.

--
Mit freundlichen Grüßen
Helmut Schellong

 

[Helmut Schellong]

Am 31.07.2023 um 15:28 schrieb Bernd Mayer:

Am 31.07.23 um 13:18 schrieb Helmut Schellong:
Am 31.07.2023 um 00:32 schrieb Hanno Foest:
Am 28.07.23 um 20:21 schrieb Helmut Schellong:

[memtest]
Wer diese Tests mit 0 Fehlern durchläuft, hat mit extrem hoher

Das Tool hat ein manual.pdf mit 99 Seiten in seiner .zip.
Soll ich das abschreiben und hierin posten?

Hallo,

den User Guide zu MemTest86 kann man auch einzeln herunterladen:

https://www.memtest86.com/userguide.html

Es ist nicht überraschend, daß es das auch außerhalb der .zip gibt.
Darin befindet sich auch die Test-Liste (als Grafik), die ich hier postete.


--
Mit freundlichen Grüßen
Helmut Schellong

 

[Hanno Foest]

Am 31.07.23 um 15:30 schrieb Helmut Schellong:

Meine Aussage ist neutral und vollkommen korrekt.

Sie ist vielmehr völlig sinnlos, wenn nicht klar ist, ob man 1 oder 1
Mio. Passes braucht, um mit \"extrem hoher Wahrscheinlichkeit\"
(welcher?) heiles RAM zu haben. Das ist nur Schellongsches
Geschwurbel, bar jeglicher Präzision des Denkens.

Dann ist ja grundsätzlich jede Information über solch ein Tool von
vornherein sinnlos, weil
man die individuellen Anwendungsfälle derer, die die Information lesen,
nicht hellsehen kann.

Der Anwendungsfall ist, zu testen, ob das RAM heil ist. Das ist eine
klare und übersichtliche Aufgabenstellung ohne viele Freiheitsgrade.

> Warum kann das Tool eigentlich in sehr weiten Grenzen konfiguriert werden?

Damit Leute wie du was zum Spielen haben?

Und ich soll die einzige, für alle gleichzeitig ideale Einstellung,
vorab nennen?

Wenn du sagen kannst \"Wer diese Tests mit 0 Fehlern durchläuft, hat mit
extrem hoher Wahrscheinlichkeit ein vollkommen intaktes RAM.\" dann
solltest du auch sagen können, wie das geht. Wenn das RAM dann trotz
Test kaputt ist, einfach sagen zu können \"dann war der Test wohl falsch
eingestellt\" ist etwas billig.

Ich verwende memtest-Tools seit Jahrzehnten und habe ohne Ausnahme
Fehler-Ergebnisse
nach längstens 30 Minuten vorliegen gehabt.

Du wirst einfach nicht merken, wenn dein Rechner Fehler macht.

Meine Workstation mit zwei verschachtelten ECC-Systemen wird mir keine
Fehler verheimlichen.

Dann brauchst du auch kein memtest.

Hanno

--
The modern conservative is engaged in one of man\'s oldest exercises in
moral philosophy; that is, the search for a superior moral justification
for selfishness.
- John Kenneth Galbraith

 

[Arno Welzel]

Andreas Fecht, 2023-07-29 14:34:

Am 29.07.2023 um 13:03 schrieb Alexander Schreiber:
Andreas Fecht <forum@aftec.de> wrote:

Die echten Namen bekommt man mit \"dir /X\" angezeigt.

Tut es eben nicht. \"dir /X\" zeigt den Kurznamen an - obige Krücke.

Ich hatte das mit dem da verwechselt:

https://answers.microsoft.com/en-us/windows/forum/all/locale-names-of-folders/7e2dd3d0-e53a-4dfb-9175-afbac65f13f7

Das hat schon viele Leute verwirrt!

Ja, \"Locale names\" sind keine Ordnernamen sondern nur die übersetzten
(locale) Namen, die der Windows Explorer in der Adressleiste anzeigt.
Beispiel:

\"Dieser PC > System (C > Programme\"

statt:

\"C:\\Program Files\"

Da der Explorer aber ohnehin grundsätzlich nur eine virtuelle Welt in
Form von Shell Namespaces darstellt, die mit dem echten Dateisystem nur
bedingt zu tun hat, ist das jetzt so überraschend. Da gibt es auch noch
andere vermeintliche \"Ordner\" wie \"Dieser PC > Desktop\" für den Desktop
des angemeldeten Benutzers und Programme wie OnDrive oder Nextcloud
können eigene Namespaces hinzufügen, über die man Zugriff auf die
jeweiligen Dateiablagen auf den jeweiligen Servern bekommt. Auch WebDAV
oder FTP kann so eingebunden werden.

--
Arno Welzel
https://arnowelzel.de

 

[Arno Welzel]

Helmut Schellong, 2023-07-28 21:10:

Am 28.07.2023 um 08:49 schrieb Arno Welzel:
[...]
Und das ist zwangsläufig möglich, wenn der Hash kürzer ist, als die
Ausgangsdaten, aus denen er erzeugt wurde. Bei als \"sicher\" geltenden
Hashes ist nur der Aufwand zur Auffindung zweier Bitfolgen, die den
selben Hash ergeben, extrem hoch.

Ich habe da meine Zweifel, weil ich Hash-Algorithmen selbst implementierte.
Diese verrechnen ihre Eingabe mit einer Art Fleischwolf-Maschine, die qualitativ
dicht an echten Zufall herankommt.
Die Eingabe wird also komplett mit einem Zufallsgenerator vermischt.

Das ändert nichts daran, dass ein Hash, der *weniger* Bits hat, als die
zu prüfenden Datei, zwangsläufig nicht *jede* mögliche Quelldatei
*eindeutig* abbilden kann.

Ich meine daher, es kommt nur auf die Gegenüberstellung an, wie viele
Zahlen der Hash bilden kann, und wie viele verschiedene Dateien es geben kann.
Kollisionen sind vorprogrammiert; die Hash-Werte müssen daher besonders gut
statistisch verteilt sein.

Das ist simpel: 2^n ist die theoretisch maximale Anzahl von Hash-Werten
für eine Länge von n Bits. Sobald eine Datei aber mehr als n Bits hat,
gibt es automatisch mehr verschiedene Dateien als Hashes.

Warum also zweifelst Du an der Aussage, dass bei einem Hash, der kürzer
ist, als die zu prüfende Datei, theoretisch bei zwei verschiedene
Dateien der selbe Hash entstehen kann?

MD5 gilt mittlerweile nicht mehr als sicher, weil dort Kollisionen
bekannt sind und seit 2004 ein Verfahren, mit dem man diese auch in
relativ kurzer Zeit finden kann: <http://eprint.iacr.org/2004/199.pdf

Das ist mir bekannt, lange Zeit, bevor ich mehrere Hash-Algorithmen selbst implementierte.

Ist \"Hash-Algorithmen implementieren\" eine besondere Leistung oder wieso
erwähnst Du das hier merfach?


--
Arno Welzel
https://arnowelzel.de

 

[Arno Welzel]

Helmut Schellong, 2023-07-29 16:10:

[...]
> Man beachte die 7 Makros(), die teilweise ineinander verschachtelt sind.

Ja, und? Ich sehe das nur als schlechten Stil an und nicht als Zeichen
besonder hohe Ingenieurskunst. Bei einem Code-Review würde ich das ablehnen.


--
Arno Welzel
https://arnowelzel.de

 

[Arno Welzel]

Helmut Schellong, 2023-07-29 13:07:

Am 29.07.2023 um 12:07 schrieb Thomas Prufer:
On Fri, 28 Jul 2023 00:02:55 +0200, Hanno Foest <hurga-news2@tigress.com> wrote:

Sehr lustig. Ich hab memtest86+ 18 Stunden laufen lassen müssen, bis
sich die ersten Fehler zeigten. Mit etwas mehr Pech hätten es auch 3
Tage (oder mehr) sein können.

Hatte ich auch mal: Systemabstürze nach längerem Arbeiten.

Und memtest fand dann Fehler wenn memtest länger arbeitete... ich vermute
\"thermisch\", also \"irgendwas wird warm\".

Dauerte aber auch >>12h.

Das kann dann eigentlich nichts mehr mit der Temperatur zu tun haben.
Höchstens, daß durch Temperatur >>12h etwas stärker defekt wird.

Ich sehe Zeitkonstanten bei Temperatur von maximal 5 Minuten für CPU.
Je größer der Luftdurchsatz, desto kleinere Zeitkonstanten.

Verwechselst Du da nicht etwas? Je größer der Luftdurchsatz, desto
*länger* dauert es, bis die maximal mögliche Temperatur erreicht ist.


--
Arno Welzel
https://arnowelzel.de

 

[Arno Welzel]

Helmut Schellong, 2023-07-28 21:40:

Am 28.07.2023 um 09:13 schrieb Arno Welzel:
Helmut Schellong, 2023-07-27 00:24:

Am 26.07.2023 um 21:40 schrieb Rupert Haselbeck:
Helmut Schellong schrieb:
[...]
Es kommt auf die Definition von \"vollkommene Datenkorrektheit\" an.
Bisher habe nur ich eine Definition für den Kontext abgegeben.

Das ist schlicht falsch. \"Vollkommene Datenkorrektheit\" impliziert ohne jede weitere Definition
eines Kontextes, dass die Daten sämtlich ohne jeden Fehler verarbeitet werden bzw. wurden.

Ja, korrekt, das definiere ich selbst ja auch andauernd so.

Die zeitliche Ebene muß einbezogen werden, andernfalls wird es ungenau und mißverstanden.

Nein, Daten sind entweder korrekt oder nicht. \"Zeit\" ist in Bezug auf
*Daten* irrelevant.

Die \"zeitliche Ebene\" kann man nur auf die *Verarbeitung* der Daten
anwenden und z.B. beobachten, dass ein Verarbeitungsprozess, der 10
Minuten dauert, korrekte Daten liefert, während bei einer Dauer von 100
Stunden die Wahrscheinlichkeit für fehlerhafte Daten höher ist, wenn man
Bitfehler nicht durch geeignete Prüfverfahren erkennen kann.

Ich verstehe Deine Denkweise nicht.
Ich definiere einen großen Testlauf, der 110 GB Daten aufwendig filtert.
Und der braucht seine Zeit - also sind wir bei Zeit.

Das ist aber völlig irrelevant in Bezug auf \"Daten sind korrekt\".

> Während dieser Zeit können RAM-Fehler die Daten verfälschen.

Genau das sagte ich doch! Lies doch einfach was ich schrieb zu 10
Minuten und 100 Stunden im Vergleich.


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Arno Welzel
https://arnowelzel.de