Selengleichrichter Datenblatt oder allgemein Daten

Am 13.01.2020 um 04:00 schrieb Helmut Schellong:
"ich sucher gerade einen BrĂźcken-Gleichrichter, dessen Spannungsabfall
 einige mV kleiner ist, als mit den 1N4007, die ich bisher drin hab."

Soll man die vorstehende Forderung ernst nehmen?
Gemäß ihr reichen z.B. 8 mV weniger aus.
450 mV sind ja Hunderte mV, nicht "einige".
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1N4007 @ 1A -> U_F=1.1V
1N5817 @ 1A -> U_F=0.45V

siehe Datenblätter ...
 
Am 13.01.20 um 00:53 schrieb Hans-Peter Diettrich:
Am 12.01.2020 um 23:03 schrieb Bernd Mayer:

Ich hatte mit Schottkydioden mal ein Netzteil fĂźr 5V mit 7805 Stabi
aufgebaut mit einem vorhandenen 6,3 V Trafo. Das war zwar etwas
grenzwertig hat aber funktioniert.

Bei solchen Netzteilen kommt es auf den Ladeelko an, wieviel Spannung
minimal Ăźbrigbleibt. Man kann auh Einweg statt BrĂźcke gleichrichten,
bringt auch 0,7V Spitze mehr.

Hallo,
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ja - ich kenne die ganzen Zusammenhänge. Ich hatte das alles solide
durchgerechnet mit den diversen Diagrammen und Datenblättern und auch
Messungen gemacht.
Es war alles knapp und mit RĂźckenwind dimensioniert.

Es war aber für mich und ich wußte das.
Und es hatte funktioniert dank den Schottkydioden.


Bernd Mayer
 
Am 13.01.2020 um 00:53 schrieb Hans-Peter Diettrich:
> bringt auch 0,7V Spitze mehr

0.7V?

Bei der 1N4007 bei 1A mittl. Strom kannst Du mit 1.1V rechnen.
 
Am 13.01.2020 um 05:40 schrieb Leo Baumann:
Am 13.01.2020 um 04:00 schrieb Helmut Schellong:
"ich sucher gerade einen BrĂźcken-Gleichrichter, dessen Spannungsabfall
  einige mV kleiner ist, als mit den 1N4007, die ich bisher drin hab."

Soll man die vorstehende Forderung ernst nehmen?
Gemäß ihr reichen z.B. 8 mV weniger aus.
450 mV sind ja Hunderte mV, nicht "einige".

1N4007 @ 1A -> U_F=1.1V
1N5817 @ 1A -> U_F=0.45V

siehe Datenblätter ...
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.... und wenn Du mit dem Strom von 1A nicht auskommst, dann nimmst Du
eine SBX2030, die hat bei 5A eine U_F von 0.3 V und kann 20A.
 
Am 13.01.20 um 07:29 schrieb Leo Baumann:
Am 13.01.2020 um 05:40 schrieb Leo Baumann:
Am 13.01.2020 um 04:00 schrieb Helmut Schellong:
"ich sucher gerade einen BrĂźcken-Gleichrichter, dessen Spannungsabfall
  einige mV kleiner ist, als mit den 1N4007, die ich bisher drin hab."

Soll man die vorstehende Forderung ernst nehmen?
Gemäß ihr reichen z.B. 8 mV weniger aus.
450 mV sind ja Hunderte mV, nicht "einige".

1N4007 @ 1A -> U_F=1.1V
1N5817 @ 1A -> U_F=0.45V

siehe Datenblätter ...

... und wenn Du mit dem Strom von 1A nicht auskommst, dann nimmst Du
eine SBX2030, die hat bei 5A eine U_F von 0.3 V und kann 20A.
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Hallo,

ja - bei 125 °C T_J siehe:

https://diotec.com/tl_files/diotec/files/pdf/datasheets/sbx2020.pdf

Um die 150 mV pro Diode kann man auch gewinnen, wenn man die Diode heiß
werden lässt - also knapp dimensioniert. Fßr 400 mA kann man dann besser
eine Diode mit 500 mA verwenden statt einer fĂźr 3 A. Das geht dann ein
wenig auf die Zuverlässigkeit und Lebensdauer.


Bernd Mayer
 
marte.schwarz@gmx.de (Marte Schwarz) am 12.01.20 um 22:50:
Hi Marcel,
Und mit SB320 kommt man auf deutlich kleinere Werte. ;-)

Die ist allerdings ein wenig dicker. Aber wo er doch schon die
räudigen (und großen) Selen-Dioden verbauen wollte, fällt das auch
nicht mehr auf.

Platz ist genug da. der K22/1 ist kleiner als die 4 1N4007. aber
wie auch Hans Jürgen schon schrieb, bei 400 mA sind die Silizium
besser. Das dürfte bei meinen BAT42 auch nicht besser sein.
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Verzeihung, schaust du nur in deine Bastelkisten oder auch mal in
Versandkataloge oder gar Datenblätter?

BAT42 machen sehr dicke Backen bei 400mA.

Nebenan wurden dir schon mehrere geeignete Schottky-Dioden genannt.
Wenn du etwas Zeit hast, schickt dir der freundliche Chinese per
Amazon für 3,11 EURO ein kleines Diodensortiment, in dem du eben auch
ein paar 1N5819 oder auch 1N5822 (für 3A) findest.

Wenn du *sehr* viel Geduld und eine Kreditkarte hast, bekommst du bei
Aliexpress auch 100 1N5819 für 1,20$ versandkostenfrei. Solche
Kleinteilesendungen sind hier bisher immer durch den Zoll
durchgewunken worden.




Rainer

--
Man geht Online, fängt sich irgendetwas ein,
und muss wieder online gehen, um es zu fixen.
Das ist krank. (Wolfgang Denda in ger.ct)
 
beam.bam.boom@knuut.de (Bernd Mayer) am 12.01.20 um 23:03:
Am 12.01.20 um 22:45 schrieb Marte Schwarz:
Hallo alle,

1N5817, 1N5818 oder wohl am besten erhältlich 1N5819.
Bis 40V, 1A

Hab ich eben alle nicht da, den Selengleichrichter hab ich. So wie
die Praxis aussieht hat der bereits bei 140 mA Gleichstrom den
gleichen Spannungsabfall, wie die 4 1N4007.

Ich werde wohl nicht umhin kommen, Schottkys zu kaufen :-(

Hallo,

wenn es beim :-( um die Versandkosten geht: Bei Amazon gibt es
beispielsweise 50 Stück 1N5819 für 2,11 Euro und kostenloser
Lieferung. Man muss dann allerdings auf die Lieferzeit achten.

Ich hatte mit Schottkydioden mal ein Netzteil für 5V mit 7805 Stabi
aufgebaut mit einem vorhandenen 6,3 V Trafo. Das war zwar etwas
grenzwertig hat aber funktioniert.
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Das habe ich vor vielen Jahren etwas sehr aufwendiger gelöst, mit
LM358 und PNP-Transistor ;-)

Rainer

--
Darüber hinaus ist er Österreicher (spricht also Deutsch)
(Der Rotstift in: z-netz.alt.esoterik)
 
charly020664@yahoo.de (Leo Baumann) am 13.01.20 um 06:34:
Am 13.01.2020 um 00:53 schrieb Hans-Peter Diettrich:

[Einweggleichrichtung]

bringt auch 0,7V Spitze mehr

0.7V?

Bei der 1N4007 bei 1A mittl. Strom kannst Du mit 1.1V rechnen.
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Auch wird der Ladeelko gewaltig, die Spitzenströme entsprechend ebenso
und man wird registrieren müssen, daß so ein Kleintrafo auch einen
Innenwiderstand hat, der bei Nennlast locker die "gewonnenen" 0.7V
wieder auffrißt.

Rainer

--
Und wenn mein fotografisches Können irgendwann so gut ist, dass die
Ausrüstung die Qualität der Ergebnisse begrenzt, dann werde ich mich
nach einer anderen Ausrüstung umsehen - vorher wohl eher nicht.
(Robert Hecht in de.rec.fotografie)
 
Hi Rainer,
Verzeihung, schaust du nur in deine Bastelkisten oder auch mal in
Versandkataloge oder gar Datenblätter?
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Es war ganz offensichtlich ein Blick in die Bastelkiste. Es war
Wochenende und eine Aktion, die am Wochenende stattfand.

> BAT42 machen sehr dicke Backen bei 400mA.

Sagte ich was anderes?

Nebenan wurden dir schon mehrere geeignete Schottky-Dioden genannt.
Wenn du etwas Zeit hast,
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Alles bekannt, aber in meinen Schubladenkästen und auch sonst am
Wochenende nicht verfĂźgbar

Ich hatte explizit nach Daten fĂźr ein ganz spezielles Bautei gefragt,
nicht mehr und nicht weniger. Jetzt ist der potenzielle Selen
GleichRiechtEr eingebaut. Er wird nicht mal lauwarm, muss aber auch nur
ca 150 mA Gleichgerichteten Strom liefern und ist dabei nicht besser als
die 4 1N4007, die ich ersetzen wollte. Mal sehen, was ich die Woche
auftreiben kann.

Marte
 
Hi Bernd,

Um die 150 mV pro Diode kann man auch gewinnen, wenn man die Diode heiß
werden lässt - also knapp dimensioniert.
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Witzknochen ;-)

Die 150 mV, die Du durchs Heizen gewinnen willst bekommst Du nur gegen
500 mV zusätzlichen Spannungsabfall :-(


Marte
 
Am 13.01.2020 um 09:50 schrieb Marte Schwarz:
Hi Bernd,

Um die 150 mV pro Diode kann man auch gewinnen, wenn man die Diode
heiß werden lässt - also knapp dimensioniert.

Witzknochen ;-)

Die 150 mV, die Du durchs Heizen gewinnen willst bekommst Du nur gegen
500 mV zusätzlichen Spannungsabfall :-(
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Oder durch Wärmedämmung!
 
Am 13.01.20 um 09:50 schrieb Marte Schwarz:
Hi Bernd,

Um die 150 mV pro Diode kann man auch gewinnen, wenn man die Diode
heiß werden lässt - also knapp dimensioniert.

Witzknochen ;-)

Die 150 mV, die Du durchs Heizen gewinnen willst bekommst Du nur gegen
500 mV zusätzlichen Spannungsabfall :-(
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Hallo,

das verstehe ich jetzt nicht woher die zusätzlichen 500 mV kommen sollen.


Bernd Mayer
 
Am 13.01.2020 um 10:52 schrieb Bernd Mayer:
Am 13.01.20 um 09:50 schrieb Marte Schwarz:
Hi Bernd,

Um die 150 mV pro Diode kann man auch gewinnen, wenn man die Diode
heiß werden lässt - also knapp dimensioniert.

Witzknochen ;-)

Die 150 mV, die Du durchs Heizen gewinnen willst bekommst Du nur gegen
500 mV zusätzlichen Spannungsabfall :-(

Hallo,

das verstehe ich jetzt nicht woher die zusätzlichen 500 mV kommen sollen.
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:( Ich auch nicht.
 
Am 13.01.20 um 07:48 schrieb Bernd Mayer:
Um die 150 mV pro Diode kann man auch gewinnen, wenn man die Diode heiß
werden lässt - also knapp dimensioniert. Fßr 400 mA kann man dann besser
eine Diode mit 500 mA verwenden statt einer fĂźr 3 A. Das geht dann ein
wenig auf die Zuverlässigkeit und Lebensdauer.

Nachtrag:
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Dioden fßr hÜhere Spannungen haben oftmals auch hÜhere Spannungsabfälle,
siehe beispielsweise:

htps://www.onsemi.com/pub/Collateral/1N5817-D.PDF

Da sind das bei 1A ca. 150mV.


Bernd Mayer
 
Am Samstag, 11. Januar 2020 14:40:15 UTC+1 schrieb Marte Schwarz:
Ich
hätte nun noch drei Selengleichrichter gefunden, die Von Siemens mit
K22/1 gekennzeichnet wurden.
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Mit Selen wird das mit Sicherheit nix. Radiorestaurateuren ist bekannt, daß man nicht in allen Fällen Selengleichrichter durch Siliziumdioden ersetzen kann, weil manchmal der relativ hohe Widerstand der Selengleichrichter in der Netzteilschaltung mit einkalkuliert wurde. Manchmal wird empfohlen, einer evtl. Si-Diode noch einen niederohmigen Widerstand in Reihe zu schalten, um das Verhalten eines Se-Gleichrichters zu simulieren.

Das bedeutet umgekehrt, daß der Innenwiderstand eines Se-Gleichrichters höher ist als der eines Si-Gleichrichters und sich damit ein höherer Spannungsabfall ergibt.
 
Am 13.01.20 um 07:48 schrieb Bernd Mayer:
Um die 150 mV pro Diode kann man auch gewinnen, wenn man die Diode heiß
werden lässt - also knapp dimensioniert. Fßr 400 mA kann man dann besser
eine Diode mit 500 mA verwenden statt einer fĂźr 3 A. Das geht dann ein
wenig auf die Zuverlässigkeit und Lebensdauer.

Nachtrag:
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Dioden fßr hÜhere Spannungen haben oftmals auch hÜhere Spannungsabfälle,
siehe beispielsweise:

https://www.onsemi.com/pub/Collateral/1N5817-D.PDF

Da sind das bei 1A ca. 150mV.


Bernd Mayer
 
Am 2020-01-12 um 22:45 schrieb Marte Schwarz:
Hallo alle,

1N5817, 1N5818 oder wohl am besten erhältlich 1N5819.
Bis 40V, 1A

Hab ich eben alle nicht da, den Selengleichrichter hab ich. So wie die
Praxis aussieht hat der bereits bei 140 mA Gleichstrom den gleichen
Spannungsabfall, wie die 4 1N4007.
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Hast du mal die Kapazität des Ladeelkos nachgemessen?
--
---hdw---
 
Hi Bernd,
Um die 150 mV pro Diode kann man auch gewinnen, wenn man die Diode
heiß werden lässt - also knapp dimensioniert.
Die 150 mV, die Du durchs Heizen gewinnen willst bekommst Du nur gegen
500 mV zusätzlichen Spannungsabfall :-(
das verstehe ich jetzt nicht woher die zusätzlichen 500 mV kommen sollen.
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Dann wird es Zeit, dass Du Dir mal Datenblätter genauer ansiehst:

Ich nehme jetzt einfach mal die BAT42, weil es die einzige
Schottky-Diode war, die ich greifbar gehabt hätte:

https://www.vishay.com/docs/85660/bat42.pdf in Fig. 2 siehst Du, wie es
sich mit dem Spannungsabfall verhält.
Der Einfachheit halber betrachte ich jetzt nicht die Komplikation, dass
bei einem gleichgerichteten Sinussignal nur in einem Bruchteil der Zeit
tatsächlich Strom durch die Diode fließt.

Bei 400 mA wßrden also bei 25 °C knapp 1050 mV Spannung an der Diode
abfallen. Da es dabei schon sehr heiß zuginge nehmen wir den Wert bei
125 °C bei 875 mV. Knapp dimensioniert bringt also schon mal wenig.

https://diotec.com/tl_files/diotec/files/pdf/datasheets/1n4001 ebenfalls
im 2. Bild siehst Du, dass die Verhältnisse bei der 1N4007 kaum
schlechter liegen:
400 mA @ 25 °C geben knapp ßber 900 mV und bei 125°C, die man hier wohl
kaum ohne Zuheizen oder exzellentes thermisches Isolieren (die KĂźhlung
erfolgt primär über die Anschlußdrähte!) erreichen wird werden es knapp
mehr als 850 mV. Die 125 °C Kurve erscheint mir aber wenig glaubwßrdig,
also geschwind bei https://www.onsemi.com/pub/Collateral/1N4001-D.PDF
geschaut, da darf man zwischen 100 °C und 150 °C interpolieren:

25 °C -> 850 mV
125 °C -> 750 mV

Hand aufs Herz, da nehme ich doch lieber 1N4007.
Oder doch lieber 1N4148 und die warm betreiben?
Da ist es gar nicht so einfach Datenblätter zu finden, die das noch
abbilden aus

https://www.mccsemi.com/pdf/products/1N4148(DO-35).pdf Fig. 1 oder
https://my.centralsemi.com/get_document.php?cmp=1&mergetype=pd&mergepath=pd&pdf_id=1N4148.PDF
erstes Bild
sieht man deutlich, dass bei hohen Stromstärken der
Temperaturkoeffizient deutlich abnimmt und man bereits ab 200 mA
deutlich schlechter dran sein wird.

https://www.onsemi.com/pub/Collateral/1N5817-D.PDF den Du ja selbst
benannt hast, zeigt sogar den Arbeitspunkt bei ca 3 A, bei dem der
Temperaturkoeffizient fast null wird.

Ich mag ein bisschen weiter weg von der Praxis sein, seit ich in den
Lehrbetrieb gewechselt hatte, aber in bisschen kenn' ich mich schon noch
aus ;-)

Marte
 
Hi horst-d.

> Hast du mal die Kapazität des Ladeelkos nachgemessen?

Da hab ich 2 * 4700 ÂľF rein gemacht. Die passen schon so ;-)

Marte
 
Am 13.01.20 um 14:40 schrieb Marte Schwarz:
Hi Bernd,
Um die 150 mV pro Diode kann man auch gewinnen, wenn man die Diode
heiß werden lässt - also knapp dimensioniert.
Die 150 mV, die Du durchs Heizen gewinnen willst bekommst Du nur
gegen 500 mV zusätzlichen Spannungsabfall :-(
das verstehe ich jetzt nicht woher die zusätzlichen 500 mV kommen sollen.

Dann wird es Zeit, dass Du Dir mal Datenblätter genauer ansiehst:

Ich nehme jetzt einfach mal die BAT42, weil es die einzige
Schottky-Diode war, die ich greifbar gehabt hätte:

https://www.vishay.com/docs/85660/bat42.pdf in Fig. 2 siehst Du, wie es
sich mit dem Spannungsabfall verhält.
Der Einfachheit halber betrachte ich jetzt nicht die Komplikation, dass
bei einem gleichgerichteten Sinussignal nur in einem Bruchteil der Zeit
tatsächlich Strom durch die Diode fließt.

Bei 400 mA wßrden also bei 25 °C knapp 1050 mV Spannung an der Diode
abfallen. Da es dabei schon sehr heiß zuginge nehmen wir den Wert bei
125 °C bei 875 mV. Knapp dimensioniert bringt also schon mal wenig.

https://diotec.com/tl_files/diotec/files/pdf/datasheets/1n4001 ebenfalls
im 2. Bild siehst Du, dass die Verhältnisse bei der 1N4007 kaum
schlechter liegen:
400 mA @ 25 °C geben knapp ßber 900 mV und bei 125°C, die man hier wohl
kaum ohne Zuheizen oder exzellentes thermisches Isolieren (die KĂźhlung
erfolgt primär über die Anschlußdrähte!) erreichen wird werden es knapp
mehr als 850 mV. Die 125 °C Kurve erscheint mir aber wenig glaubwßrdig,
also geschwind bei https://www.onsemi.com/pub/Collateral/1N4001-D.PDF
geschaut, da darf man zwischen 100 °C und 150 °C interpolieren:

25 °C -> 850 mV
125 °C -> 750 mV

Hand aufs Herz, da nehme ich doch lieber 1N4007.
Oder doch lieber 1N4148 und die warm betreiben?
Da ist es gar nicht so einfach Datenblätter zu finden, die das noch
abbilden aus

https://www.mccsemi.com/pdf/products/1N4148(DO-35).pdf Fig. 1 oder
https://my.centralsemi.com/get_document.php?cmp=1&mergetype=pd&mergepath=pd&pdf_id=1N4148.PDF
erstes Bild
sieht man deutlich, dass bei hohen Stromstärken der
Temperaturkoeffizient deutlich abnimmt und man bereits ab 200 mA
deutlich schlechter dran sein wird.
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Hallo,

ich gehe von Dioden aus fĂźr 500 mA und da fallen die 1N4148 und die
BAT42 raus - das sind beides Dioden fĂźr 200 mA.
In Deinem Ursprungsposting stand ja:
"Gleichzurichten ist eine 6V Wechselspannung bei < 400 mA Strom"

In den Datenblättern lese ich schon einen Effekt bei den warmen Dioden
von ca. 100 mV heraus. Bei BrĂźckenschaltung sind das dann ja ca. 200 mV.

In Deinem Beispiel:
1050 mV minus 875 mV das sind dann 175 mV Gewinn.

Was hängt da denn dran als Last?


Bernd Mayer
 
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