Motor in PWM-Ansteuerung

On Fri, 02 Sep 2005 01:51:16 +0200, Johannes Bauer <dfnsonfsduifb@gmx.de> wrote:
Hallo Gruppe,

ich möchte einige Motoren per PWM ansteuern. Allerdings habe ich ein
Problem: der Motor ist für 4V (400mA) spezifiziert, ich würde ihn gern
an einem 12V Akku betreiben.

Folgendes hab ich mir gedacht: da die umgesetzte Leistung direkt
proportional zum Quadrat der Spannungsquotienten ist, würde ich meinen
PWM nur mit maximal (U_soll/U_ist)^2 Dutycycle (also mit 1/9, ~11,1%)
fahren. Geht das?
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Hi Johannes,

die einfachste Lösung, denke ich, ist es, eine integrierte
stromgeregelte PWM-H-Brücke zu verwenden, wie Du sie
z.B. bei Allegro (www.allegromicro.com) findest. Bei gleichem
Strom hast Du ein näherungsweise gleiches Drehmoment.
Der Schaltungsaufwand für die einfacheren Brücken ist
sehr gering, bitte immer direkt auf die Platine löten und
die Layoutvorschläge des Herstellers beachten.

Thiemo
 
Löle,

wieso muss man eigentlich Gatevorwiderstände verwenden?
Das Gate hat eine Kapazität, wie Johannes ja mittlerweile weiß. Zusammen
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mit der Induktivität der Zuleitung zum Gate bildet sich ein
''Schwingkreis''. Durch die Vorwiderstände wird er bedämpft.

Ciao - Peter

--
Für Privat-Email bitte Betreff mit "Usenet-Reh" beginnen lassen.
--
"Ein Mokka-Trüffel-Parfait mit einem Zitronencreme-Bällchen."
 
MaWin wrote:

Aber was die Schaltung eigentlich _macht_, entzieht sich völlig meiner
Kenntnis.

Wie die Villard-Schaltung beim Trafo (Wechselstrom)
erzuegt sie eine noch hoehere Spannung als du schon hat,
eine Spannung die ~10V ueber +Ub liegt, damit dein oberer NMOSFET
durchgesteuert werden kann, und das alles 'von selbst'
durch Ausnutzung der 'Wechselspannung' des Ansteuersignals des MOSFETs.
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Ah ja, das verstehe ich jetzt auch. Freut mich.

Jetzt wollte ich gerade nach Treiberbausteinen suchen, die bei Reichelt
beziehbar sind (weil ich da eh bestelle), aber die führen nicht die oben
genannten (mit Bootstrap-Funktion). Haben aber den ICL7667 für nen Euro.
Kann ich den nicht auch für meinen Zweck verwenden (bzw. wäre der nicht
sogar besser, weil weniger externe Bauteile notwendig)?

Und gibt's was besseres als den BUZ11 (die FAQ nennt IRF530 - der
scheint mir aber sehr vergleichbar zu sein von den Daten her)? Ist der
BUZ echt Schrott, wie Dieter schreibt?

Viele Grüße,
Johannes
 
Peter Muthesius wrote:
Löle,

wieso muss man eigentlich Gatevorwiderstände verwenden?

Das Gate hat eine Kapazität, wie Johannes ja mittlerweile weiß. Zusammen
mit der Induktivität der Zuleitung zum Gate bildet sich ein
''Schwingkreis''. Durch die Vorwiderstände wird er bedämpft.
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Ah, das leuchtet mir ein.

Vielen Dank,
Gruß,
JOhannes
 
"Johannes Bauer" <dfnsonfsduifb@gmx.de> schrieb im Newsbeitrag
news:v69vu2xaoi.ln2@joehost.joedomain...
genannten (mit Bootstrap-Funktion). Haben aber den ICL7667 für nen Euro.
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Klar braucht der weniger Bauteile, er steuert ja auch nur den unteren Transi
und hat die ganze Spannungsueberhoehungsmimik nicht drin.
Und gibt's was besseres als den BUZ11 (die FAQ nennt IRF530 - der
scheint mir aber sehr vergleichbar zu sein von den Daten her)? Ist der
BUZ echt Schrott, wie Dieter schreibt?

Ciss etwa 60%, also schon etwas moderner.
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--
Manfred Winterhoff, reply-to invalid, use mawin at despammed.com
homepage: http://www.geocities.com/mwinterhoff/
de.sci.electronics FAQ: http://dse-faq.elektronik-kompendium.de/
Read 'Art of Electronics' Horowitz/Hill before you ask.
Lese 'Hohe Schule der Elektronik 1+2' bevor du fragst.
 
MaWin wrote:
"Johannes Bauer" <dfnsonfsduifb@gmx.de> schrieb im Newsbeitrag
news:v69vu2xaoi.ln2@joehost.joedomain...

genannten (mit Bootstrap-Funktion). Haben aber den ICL7667 für nen Euro.

Klar braucht der weniger Bauteile, er steuert ja auch nur den unteren Transi
und hat die ganze Spannungsueberhoehungsmimik nicht drin.
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Meinst du mit "unteren" FET den im Schaltplan unten liegenden? Weil der
ICL7667 hat zwei (invertierende) Treiberstufen drin, die dann beide bei
Eingang LOW den Ausgang auf die +12V schalten würden. Wo besteht da der
Unterschied zwischen dem unterenun dem oberen FET?

Gruß,
Johannes
 
Johannes Bauer schrieb:

Jetzt wollte ich gerade nach Treiberbausteinen suchen, die bei Reichelt
beziehbar sind (weil ich da eh bestelle), aber die führen nicht die oben
genannten (mit Bootstrap-Funktion).
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Haben sie doch, die sind allerdings bei den Transistoren einsortiert.:-(
Nimm IR2111 oder IR2153.


Ist der
BUZ echt Schrott, wie Dieter schreibt?
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'Schrott' hast du zuerst gesagt.:)
Es gibt halt modernere MOSFETs, die haben bei gleicher Belastbarkeit
(Uds/Ids) eine erheblich geringere Eingangskapazität, z.B. IRFZ34N.


Gruß Dieter
 
"Johannes Bauer" <dfnsonfsduifb@gmx.de> schrieb im Newsbeitrag
news:kqe0v2xdv7.ln2@joehost.joedomain...
Meinst du mit "unteren" FET den im Schaltplan unten liegenden?
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Ja.

Weil der ICL7667 hat zwei (invertierende) Treiberstufen drin,
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fuer 2 untere, wie an den Beispielschaltungen erkennbar

die dann beide bei Eingang LOW den Ausgang auf die +12V
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und eben nicht von 12V bis 22V, wie es fuer den 'oberen' (die
+12V schaltenden) MOSFET notwendig waere.

schalten würden. Wo besteht da der
Unterschied zwischen dem unterenun dem oberen FET?
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Anderes Potential.
--
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MaWin wrote:

schalten würden. Wo besteht da der
Unterschied zwischen dem unterenun dem oberen FET?

Anderes Potential.
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Ach stimmt, jetzt hab ichs mal durchgerechnet. Ich schreibs mal hier
hin, falls jemand auch so Probleme hat, wie ich, zum Verständnis:

Ich habe mit folgenden Werten gerechnet: R_DSon = 0.05 Ohm, R_DSoff = 10
MOhm, R_Last = 10 Ohm, Vcc = 12V:

Unterer FET (der einfach zu schalten ist):
FET aus FET an

Vcc
|
| 12V 12V
|
+-+
| |
| | R_Last = 10 Ohm R_Last = 10 Ohm
| |
+-+
|
Drain -->| 11.9999 V 0.0597 V
|
+-+
| |
| | R_DS = 1MOhm R_DS = 0.05 Ohm
| |
+-+
|
Source -->| 0V 0V
|
GND



Oberer FET (wo man die 22V am Gate braucht):
FET aus FET an

Vcc
|
Drain -->| 12V 12V
|
+-+
| |
| | R_DS = 1MOhm R_DS = 0.05 Ohm
| |
+-+
|
Source -->| 0.0001 V 11.9403 V
|
+-+
| |
| | R_Last = 10 Ohm R_Last = 10 Ohm
| |
+-+
|
| 0V 0V
|
GND


Und da die Gatespannung bei einem N-Fet so ca. 10V höher sein muss, als
Source, geht's beim unteren FET einfach (Weil Source auf 0V liegt). Beim
Oberen FET verändert sich die Sourcespannung aber, sobald der FET
durchschaltet, darum muss die Gatespannung noch höher liegen.

Falls da Fehler drin sind, bitte korrigieren.

Viele Grüße,
Johannes
 
Dieter Wiedmann wrote:
Johannes Bauer schrieb:


Jetzt wollte ich gerade nach Treiberbausteinen suchen, die bei Reichelt
beziehbar sind (weil ich da eh bestelle), aber die führen nicht die oben
genannten (mit Bootstrap-Funktion).

Haben sie doch, die sind allerdings bei den Transistoren einsortiert.:-(
Nimm IR2111 oder IR2153.
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Ah, cool! Hab deine Nachricht leider erst jetzt gerade gelesen. Danke
für den Tipp!

Ist der
BUZ echt Schrott, wie Dieter schreibt?

'Schrott' hast du zuerst gesagt.:)
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Stimmt ;-)

Es gibt halt modernere MOSFETs, die haben bei gleicher Belastbarkeit
(Uds/Ids) eine erheblich geringere Eingangskapazität, z.B. IRFZ34N.
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Ich schau mal rum, danke!

Viele Grüße,
Johannes
 
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