IRG4BC20W ersetzen

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Michael Hoereth

Guest
Hallo NG,

ich habe ein SNT vor mir liegen (ca 50W, Standardschaltung des 3844N),
bei dem sowohl die Gleichrichterdioden als auch der Leistungstransistor
Ganz- statt Halbleiter sind. Leider finde ich den IRG4BC20 mit "W"
weder bei Reichelt noch Conrad oder Buerklin. Es gibt eine "U"- oder
"S"-Variante, die mir mit meinem begrenzten Wissen aber zu unter-
schiedlich erscheinen.
Beim Conrad gaebe es den IRG4BC40W, der zwar mehr Strom kann, aber auch
hoehere Kapazitaeten hat, Strom braucht etc.

Andererseits habe ich an dieser Stelle oft sowas wie IRFBC40 gesehen,
sogar auf der Platine scheint ein MOSFET eingeplant gewesen zu sein (S-D-G-
Beschriftung).
Kann mir jemand einen Ersatztyp nennen oder soll ich die Schaltung
nochmal genau anschauen und es mit einem IRFBC40 probieren?

Danke + Gruesse,
Michael

--
Michael Hoereth - MCH-RIPE - Munich, Germany
 
Michael Hoereth schrieb:

ich habe ein SNT vor mir liegen (ca 50W, Standardschaltung des 3844N),
bei dem sowohl die Gleichrichterdioden als auch der Leistungstransistor
Ganz- statt Halbleiter sind. Leider finde ich den IRG4BC20 mit "W"
weder bei Reichelt noch Conrad oder Buerklin. Es gibt eine "U"- oder
"S"-Variante, die mir mit meinem begrenzten Wissen aber zu unter-
schiedlich erscheinen.
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'S' ist eindeutig zu langsam, 'U' könnte gehen, aber der Hersteller wird
nicht ohne Grund einen richtig schnellen 'W' verbaut haben.


Beim Conrad gaebe es den IRG4BC40W, der zwar mehr Strom kann, aber auch
hoehere Kapazitaeten hat, Strom braucht etc.
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Dann schon deutlich ehr den IRG4BC20U.


Andererseits habe ich an dieser Stelle oft sowas wie IRFBC40 gesehen,
sogar auf der Platine scheint ein MOSFET eingeplant gewesen zu sein (S-D-G-
Beschriftung).
Kann mir jemand einen Ersatztyp nennen oder soll ich die Schaltung
nochmal genau anschauen und es mit einem IRFBC40 probieren?
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Vorsicht! Das Clampingnetzwerk wird auf die Schaltgeschwindigkeit des
IGBT abgestimmt sein, MOSFETs sind da erheblich schneller, der wird dir
also wegen Überspannung absemmeln.

Eine Bezugsquelle für den IRG4BC20W kann ich allerdings auch nicht
nennen.


Gruß Dieter
 
Dieter Wiedmann <Dieter.Wiedmann@t-online.de> wrote:
'S' ist eindeutig zu langsam, 'U' könnte gehen, aber der Hersteller wird
nicht ohne Grund einen richtig schnellen 'W' verbaut haben.
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Deswegen ist die Steigerung von "u-ltra fast" dann "w-arp speed" (lt.
Conrad-Katalog).
Danke fuer den Tip! Ich werde halt mal schauen, ob das NT mit
dem "U" ueberhaupt wieder laeuft.
nochmal genau anschauen und es mit einem IRFBC40 probieren?

Vorsicht! Das Clampingnetzwerk wird auf die Schaltgeschwindigkeit des
IGBT abgestimmt sein, MOSFETs sind da erheblich schneller, der wird dir
also wegen Überspannung absemmeln.
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Klar, dass man da umdimensionieren muss. Nicht klar, ob ich das kann ;-)
Interessant waere auch, warum das NT nach knapp 5 Jahren Dauerbetrieb
so heftig kaputtgegangen ist. Die Versorgung scheidet eigentlich aus,
da hing ein halbes Rechenzentrum ohne Stoerungen daneben. Es hat alle
1N4007 der Gleichrichterbruecke zerlegt, die andern Teile scheinen ok.
Vielleicht ist ja die Schaltung schon so etwas gewagt... (Hersteller
ist uebrigens PowerOne, das Ding ist in einem teuren Cisco-Switch verbaut).

Gruesse
Michael
--
Michael Hoereth - MCH-RIPE - Munich, Germany
 
ich habe ein SNT vor mir liegen (ca 50W, Standardschaltung des 3844N),
bei dem sowohl die Gleichrichterdioden als auch der Leistungstransistor
Ganz- statt Halbleiter sind. Leider finde ich den IRG4BC20 mit "W"
weder bei Reichelt noch Conrad oder Buerklin. Es gibt eine "U"- oder
"S"-Variante, die mir mit meinem begrenzten Wissen aber zu unter-
schiedlich erscheinen.

'S' ist eindeutig zu langsam, 'U' könnte gehen, aber der Hersteller wird
nicht ohne Grund einen richtig schnellen 'W' verbaut haben.
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Denke ich auch. Ich musste schon stutzen, als ich las, dass in einem
50W-NT ein IGBT steckt...

Eine Bezugsquelle für den IRG4BC20W kann ich allerdings auch nicht
nennen.
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Flanell, 4,80 EUR für mitblei, 5,14 EUR für ROHS-compliant
 
Nachtrag zu mir selbst:
die Dinger gibts bei Farnell, 5,14 ?? + Steuer.

Gruesse
Michael

--
Michael Hoereth - MCH-RIPE - Munich, Germany
 
Stefan Huebner schrieb:

'S' ist eindeutig zu langsam, 'U' könnte gehen, aber der Hersteller wird
nicht ohne Grund einen richtig schnellen 'W' verbaut haben.

Denke ich auch. Ich musste schon stutzen, als ich las, dass in einem
50W-NT ein IGBT steckt...
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Ich könnte was drauf wetten, dass da ein MOSFET vorgesehen war, das Ding
aber zuviel Störungen produziert hat. Als einfaches Hausmittel (aka
Murx) setzt man dann halt einen IGBT rein.


Eine Bezugsquelle für den IRG4BC20W kann ich allerdings auch nicht
nennen.

Flanell, 4,80 EUR für mitblei, 5,14 EUR für ROHS-compliant
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Hab ich mittlerweile auch gesehen, die haben offensichtlich in letzter
Zeit eine ganze Latte an IRF-Zeug aufgenommen.


Gruß Dieter
 
Michael Hoereth schrieb:

[IGBT statt MOSFET]
Das muss ihnen reichlich spaet aufgefallen sein, die Platine ist mit
D-G-S bedruckt...
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Daher nahm ich an, dass das auch in diesem Fall so war.


Ich hab auch sonst schon wesentlich aufwendiger gebaute SNT mit dem
384X gesehen.
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Was will man da schon groß Aufwand betreiben, 50W sind Spielzeug.


Gruß Dieter
 
Dieter Wiedmann <Dieter.Wiedmann@t-online.de> wrote:
Ich könnte was drauf wetten, dass da ein MOSFET vorgesehen war, das Ding
aber zuviel Störungen produziert hat. Als einfaches Hausmittel (aka
Murx) setzt man dann halt einen IGBT rein.
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Das muss ihnen reichlich spaet aufgefallen sein, die Platine ist mit
D-G-S bedruckt...

Ich hab auch sonst schon wesentlich aufwendiger gebaute SNT mit dem
384X gesehen.

Gruesse
Michael
--
Michael Hoereth - MCH-RIPE - Munich, Germany
 
On Sat, 2006-03-04 at 20:01 +0000, Michael Hoereth wrote:
Das muss ihnen reichlich spaet aufgefallen sein, die Platine ist mit
D-G-S bedruckt...
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Darauf wĂźrde ich nicht allzuviel geben, denn die Anschlussbezeichnungen
am IGBT sind sowieso uneinheitlich und verwirrend: Der "Collector" ist
eigentlich ein Emitter und Ăźberhaupt sieht das Ding von innen eher aus
wie ein MOSFET, nicht wie ein BJT.


Stefan
 
"Stefan Schmitt" <sschmitt4711@nurfuerspam.de> schrieb im Newsbeitrag
news:1141541734.7607.17.camel@alfons...

Der "Collector" ist eigentlich ein Emitter
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??
--
Manfred Winterhoff, reply-to invalid, use mawin at gmx dot net
homepage: http://www.geocities.com/mwinterhoff/
de.sci.electronics FAQ: http://dse-faq.elektronik-kompendium.de/
Read 'Art of Electronics' Horowitz/Hill before you ask.
Lese 'Hohe Schule der Elektronik 1+2' bevor du fragst.
 
MaWin schrieb:

[IGBT]
Der "Collector" ist eigentlich ein Emitter

??
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Er meint wohl das Ersatzschaltbild:

|C
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G ||<- |---o
---||-+ <| |
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'--o-----o
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|E

created by Andy´s ASCII-Circuit v1.24.140803 Beta www.tech-chat.de


Gruß Dieter
 
On Sun, 2006-03-05 at 12:42 +0100, Dieter Wiedmann wrote:
Der "Collector" ist eigentlich ein Emitter

??

Er meint wohl das Ersatzschaltbild:
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Von mir aus auch das, ich meinte aber eher aus halbleiterphysikalischer
Sicht. Da werden auch die Gemeinsamkeiten von MOSFET und IGBT
deutlicher.


|C
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---||-+ <| |
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created by Andy´s ASCII-Circuit v1.24.140803 Beta www.tech-chat.de
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Da fehlt noch die Verbindung zwischen dem Bulk des MOSFET und der Basis
des NPN.


Stefan
 
Dieter Wiedmann <Dieter.Wiedmann@t-online.de> wrote:
MaWin schrieb:

[IGBT]
Der "Collector" ist eigentlich ein Emitter

??

Er meint wohl das Ersatzschaltbild:

|C
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.--o---|
| | |\
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||-+ \| |
G ||<- |---o
---||-+ <| |
| | .-.
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| | '-'
| | |
'--o-----o
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|E
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Huch. Das ist ja ein schöner Thyristor. Ich habe mal ein bisschen
nachgelesen (bei Semikron). Der NPN ist parasitär und sein BE-
Widerstand ist so klein, daß der Latchup-Strom beim 10..15-fachen
des erlaubten Stroms liegt.

Für ein *funktionales* Ersatzschaltbild kann man also beide weg-
lassen und es bleiben der FET und der PNP übrig.


XL
 
Stefan Schmitt schrieb:

Von mir aus auch das, ich meinte aber eher aus halbleiterphysikalischer
Sicht. Da werden auch die Gemeinsamkeiten von MOSFET und IGBT
deutlicher.
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Hä?


[Ersatzschaltbild eines IGBT]
Da fehlt noch die Verbindung zwischen dem Bulk des MOSFET und der Basis
des NPN.
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Stimmt, hatte ich vergessen.


Gruß Dieter
 
Axel Schwenke schrieb:

Für ein *funktionales* Ersatzschaltbild kann man also beide weg-
lassen und es bleiben der FET und der PNP übrig.
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Naja, besser nicht, die nichtidealen Eigenschaften der Bauelemente
werden eh viel zu wenig betont.


Gruß Dieter
 
On Sun, 2006-03-05 at 15:13 +0100, Dieter Wiedmann wrote:
Von mir aus auch das, ich meinte aber eher aus halbleiterphysikalischer
Sicht. Da werden auch die Gemeinsamkeiten von MOSFET und IGBT
deutlicher.

Hä?
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Beim (vertikalen) MOSFET ist Drain Ăźber ein (n+)-Gebiet an ein weites
(n-)-Driftgebiet kontaktiert. Beim IGBT ist das wird statt des (n+)-
Gebietes ein (p+)-Gebiet angelegt, während die ßbrige Struktur
weitgehend gleich bleibt. Das vorherige Drain arbeitet jetzt als
p-Emitter und wird daher Collector genannt. %-)


Stefan
 
Stefan Schmitt schrieb:

Von mir aus auch das, ich meinte aber eher aus halbleiterphysikalischer
Sicht. Da werden auch die Gemeinsamkeiten von MOSFET und IGBT
deutlicher.

Hä?

Beim (vertikalen) MOSFET ist Drain Ăźber ein (n+)-Gebiet an ein weites
(n-)-Driftgebiet kontaktiert. Beim IGBT ist das wird statt des (n+)-
Gebietes ein (p+)-Gebiet angelegt, während die ßbrige Struktur
weitgehend gleich bleibt. Das vorherige Drain arbeitet jetzt als
p-Emitter und wird daher Collector genannt. %-)
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Ah, so wars gemeint. Als besonders nützlich kann ich die Sichtweise aber
nicht sehen.



Gruß Dieter
 
Dieter Wiedmann <Dieter.Wiedmann@t-online.de> wrote:
Axel Schwenke schrieb:

Für ein *funktionales* Ersatzschaltbild kann man also beide weg-
lassen und es bleiben der FET und der PNP übrig.

Naja, besser nicht, die nichtidealen Eigenschaften der Bauelemente
werden eh viel zu wenig betont.
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Warum hast dann die diversen R's und C's weggelassen?

Mein erster Gedanke beim Anblick deines Ersatzschaltbildes war:
"Das kann nicht sein. Da muß er sich verhauen haben." Ich wußte
bisher über IGBTs nur, daß die am Eingang ein FET, am Ausgang
bipolar sind. Ich habe noch keinen verbaut und habe das auch
nicht vor. Immerhin weiß ich jetzt etwas mehr. Interessanter
als die Rückkopplung über den NPN ist übrigens die Gegenkopp-
lung durch den Widerstand auf das Substrat des FETs. Dadurch
bekommt man eine Strombegrenzung, die beim Schaltungsentwurf
relevanter sein dürfte als die parasitäre Thyristorstruktur.


XL
 
On Sun, 2006-03-05 at 15:45 +0100, Dieter Wiedmann wrote:
Ah, so wars gemeint. Als besonders nĂźtzlich kann ich die Sichtweise aber
nicht sehen.
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Das kommt auf den Standpunkt an. Aus der Sicht eines
Bauelemente-Entwicklers ist diese Sichtweise "natĂźrlich" die richtige.
FĂźr den Bauelemente-Anwender mag es verwirrend sein. Das Chaos ist dann
perfekt, wenn diese zwei sich Ăźber einen IGBT unterhalten: Der eine
nennt es einen Emitter (es ist ja auch einer), der andere nennt es
Collector (es steht ja so im Datenblatt).

Diese Gewurstel treibt schon seltsame BlĂźten: International Rectifier
zeichnet seine IGBT mit zwei Emittern, andere schreiben auf
althergebrachte Art Anode und Kathode und die Bezeichnung Drain habe ich
dem dem Zusammenhang auch schon gelesen. Daher wĂźrde ich auf die
Bezeichnungen auf genannter Platine nicht wetten...


Stefan
 
Axel Schwenke schrieb:

Warum hast dann die diversen R's und C's weggelassen?
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Die werden wenigstens im Datenblatt erwähnt.


Interessanter
als die Rückkopplung über den NPN ist übrigens die Gegenkopp-
lung durch den Widerstand auf das Substrat des FETs. Dadurch
bekommt man eine Strombegrenzung, die beim Schaltungsentwurf
relevanter sein dürfte als die parasitäre Thyristorstruktur.
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Mittlerweile ja, die IGBTs der ersten Generation hatten aber üble
Probleme mit dem Thyristor, ganz vergessen darf man ihn immer noch
nicht.


Gruß Dieter
 
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