K
Klaus Holtermann
Guest
Hallo NG,
eine Frage an die MOSFET-Spezialisten:
Im Datenblatt zum IRF9Z34N (P-Channel, 55V, 17A, 0,1Rdson) gibt's folgende 3
Angaben:
Qg Total Gate Charge, 35nC
Qgs Gate-to-Source Charge, 7,9nC
Qgd Gate-to-Drain ("Miller") Charge, 16nC
Gate Charge und dessen Bedeutung ist mir bekannt, aber was ist der
Unterschied zwischen den drei o.g. Varianten?
Hängt das mit dem Ein- und Ausschaltverhalten zusammen?
Welcher dieser Werte ist maßgeblich, wenn ich den Gatestrom zur gewünschten
Schaltgeschwindigkeit berechnen will?
Wer klärt mich auf ;-)
Vielen Dank im Voraus
Gruß
Klaus
--
Holtermann Elektronik
www.Holtermann-Modellbahntechnik.de
www.MoBaSchaZ.de
eine Frage an die MOSFET-Spezialisten:
Im Datenblatt zum IRF9Z34N (P-Channel, 55V, 17A, 0,1Rdson) gibt's folgende 3
Angaben:
Qg Total Gate Charge, 35nC
Qgs Gate-to-Source Charge, 7,9nC
Qgd Gate-to-Drain ("Miller") Charge, 16nC
Gate Charge und dessen Bedeutung ist mir bekannt, aber was ist der
Unterschied zwischen den drei o.g. Varianten?
Hängt das mit dem Ein- und Ausschaltverhalten zusammen?
Welcher dieser Werte ist maßgeblich, wenn ich den Gatestrom zur gewünschten
Schaltgeschwindigkeit berechnen will?
Wer klärt mich auf ;-)
Vielen Dank im Voraus
Gruß
Klaus
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Holtermann Elektronik
www.Holtermann-Modellbahntechnik.de
www.MoBaSchaZ.de