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Helmut Schellong
Guest
On 09/09/2022 15:28, Carla Schneider wrote:
Zwischen S und D?
Nicht zwischen G und S?
Ja, normalerweise würde 100k an GS reichen, damit nicht ein Leckstrom den FET einschaltet.
Aber man kann auch 10k nehmen, um die Powerbank bereits allein darüber einzuschalten.
Genau das ist ein wichtiger Punkt.
Der ist super!
SO-8 ist auch technisch günstig.
Durch die 8 Pins wird recht viel Wärme abgeführt.
Den würde ich nicht wählen.
Ich würde 10 Stk. IRF7410 bestellen.
Die technischen Eigenschaften haben bei mir Vorrang.
Ich würde unter das SO-8 pauschal WLP applizieren.
Schon, bei genau dieser Powerbank, aber portabel ist das nicht.
Für mich spielen die technischen Eigenschaften die Hauptrolle.
Mit dem IRF7410 kann eine universelle Schaltung gebaut werden.
In Fig.1 ist sichtbar, daà bereits bei 1V Gate-Spannung und nur
0,1V zwischen S und D mehr als 1A flieÃen können.
Man braucht da nur <1mA nach Masse, um im Kontext alle Lasten voll einzuschalten.
Den GS-Wid. braucht man nicht dafür, sondern der soll nur Leckströme auÃer Wirkung setzen.
Das ist üblich; es gibt wenige VorstöÃe auf 170°C (bei Plastik).
Aber das sind Junction-Temperaturen im Betrieb.
Ich brauche eine 3V-Kohle-Batterie zur Ohm-Messung bei meinem Analog-Multimeter.
Die werden offenbar nicht mehr hergestellt.
So habe ich mir Lithium-Knopfzellen 2450 3V gekauft, die ich verlöten muÃ.
Das muà sehr vorsichtig und kurzzeitig erfolgen - eine Sache für Profis.
Ich werde mit einem gummiartigen Polierklotz kleine Stellen polieren.
Besten Löthonig applizieren.
Dann vielleicht 0,7s lang eine Stelle (verbleit) verzinnen und abkühlen lassen.
Einen Draht verzinnen.
Diesen mit der Lötspitze kurz auf die verzinnte Stelle drücken, bis das verschmolzen ist.
--
Mit freundlichen GrüÃen
Helmut Schellong var@schellong.biz
http://www.schellong.de/c.htm http://www.schellong.de/c2x.htm http://www.schellong.de/c_padding_bits.htm
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Helmut Schellong wrote:
On 09/09/2022 01:32, Carla Schneider wrote:
Helmut Schellong wrote:
On 09/07/2022 22:44, Marte Schwarz wrote:
Hallo Helmut,
Mit dem P-ch STD26P3LLH6 (STripFET? DeepGATE?) z.B.
kann die Angelegenheit komplett erledigt sein.
(Ein GS-Wid. 47k sollte noch vorhanden sein.)
Wichtig bei der Suche ist die /Gate threshold voltage/.
Die sollte niedrig sein: z.B. 1V..2V, 1V..2,5V, ...
Ãblich sind viel höhere Werte, weshalb es auch bisher nicht funktioniert.
Da in diesem Fall kaum Strom benötigt wird, tuts ein BS250 oder ein sonstiger
Allerweltstyp auch schon. Es geht ja nur darum, kurzzeitig ein bisschen Strom anzufordern,
um die Powerbank zum Stromliefern zu überreden.
Der OP hat aktuell einen P-ch MOSFET, der die Powerbank seriell an die Last schaltet.
Dieser FET braucht jedoch wohl Ugs?4V dafür, hat aber nur 2,3V zur Verfügung.
Ich habe nun einen P-ch MOSFET ausgesucht, der mit 2,3V locker auskommt.
Dieses \"Powerbank überreden\" ist eine Idee von mir, den ungeeigneten MOSFET
trotzdem erfolgreich verwenden zu können - mit Zusatzschaltung.
Das Beste ist allerdings ein von vornherein geeigneter MOSFET + GS-Wid.
Der kann von dem OpenDrain direkt mit 2,3V eingeschaltet werden.
Unmittelbar danach steigen die 2,3V ja auf 5V.
https://www.reichelt.de/mosfet-p-ch-30v-12a-0-03r-to252-std26p3llh6-p254904.html - 1,1 ?
Noch besser geeignet waere:
https://www.reichelt.de/mosfet-p-kanal-30-v-12-a-rds-on-0-0085-ohm-so-8-ao-4407a-p166495.html
kostet auch weniger als halb soviel...
Der wäre tatsächlich viel schlechter bis gar nicht geeignet!
Mit Deiner Art, geeignete(?) Bauelemente auszusuchen, wirst Du wohl noch oft Schiffbruch erleiden.
Vom IRF5305 hatte ich noch einen in der Schachtel, und habs mal ausprobiert ob es geht.
Tatsaechlich wollte ich nur den Spannungsabfall messen und habe daher das Gate ueber einen Widerstand
an den + Pol der Powerbank angeschlossen und mich dann gewundert dass da ueberhaupt nichts geht.
In der tatsaechlichen Schaltung haette ich einen Widerstand zwischen Source und Drain gelegt,
Zwischen S und D?
Nicht zwischen G und S?
damit der FET auch abschaltet wenn wenn die Schaltuhr das Gate nicht mehr auf minus
zieht und wenn der nicht groesser als 30k ist schaltet der die Powerbank ein.
Ich werde das noch mit der Schaltuhr ausprobieren.
Ja, normalerweise würde 100k an GS reichen, damit nicht ein Leckstrom den FET einschaltet.
Aber man kann auch 10k nehmen, um die Powerbank bereits allein darüber einzuschalten.
Rds(on)=0,0085 gilt bei 20V Gate-Spannung. Wir haben aber nur 2,3V.
Dachte ich zuerst, stimmt aber nicht bei passend gewaehltem GS Widerstand
steigt die Spannung auf 5V die Frage ist natuerlich ob das auch bei anderen
Powerbanken funktioniert.
Genau das ist ein wichtiger Punkt.
Der Gate-threshold liegt zwischen 1,7V und 3V; ich suchte aus: 1V bis 2,5V;
So etwas ist entscheidend!
Durchaus, kann ja sein dass ich die Schaltung auch an einem LiPo Akku verwenden will,
der hat dann nur 3.7V.
Da empfiehlt sich dann wohl der IRF7410, auch bei Reichelt zu haben allerdings kostet
der 1,40 Euro.
Gate Threshold zwischen 0.4 und 0.9V.
Der ist super!
SO-8 ist auch technisch günstig.
Durch die 8 Pins wird recht viel Wärme abgeführt.
Oder fur 0.25 Euro den AO3401 mit etwas hoeherem Widerstand (60mOhm)
und noch winzigerem SMD Gehaeuse...
Den würde ich nicht wählen.
Ich würde 10 Stk. IRF7410 bestellen.
Die technischen Eigenschaften haben bei mir Vorrang.
Ich würde unter das SO-8 pauschal WLP applizieren.
In Figure 2 ist sichtbar, daà dieser MOSFET eher ungeeignet ist.
Die Powerbank wuerde er wohl nicht einschalten bei 2.3V, aber das ist
wie ich jetzt weiss auch gar nicht noetig, das macht ja der Widerstand schon.
Schon, bei genau dieser Powerbank, aber portabel ist das nicht.
Problem: Das ist ein SMD-Bauteil. Loetzinn das unter 170°C schmilzt gibts bei Reichelt
gar nicht, wie loetet man sowas ohne das Bauteil zu zerstoeren ?
Ich habe einen MOSFET im DPAK-Gehäuse ausgesucht.
Das ist ebenso ein SMD-Gehäuse.
So ist es, da koennte ich also auch den billigeren nehmen.
Für mich spielen die technischen Eigenschaften die Hauptrolle.
Mit dem IRF7410 kann eine universelle Schaltung gebaut werden.
In Fig.1 ist sichtbar, daà bereits bei 1V Gate-Spannung und nur
0,1V zwischen S und D mehr als 1A flieÃen können.
Man braucht da nur <1mA nach Masse, um im Kontext alle Lasten voll einzuschalten.
Den GS-Wid. braucht man nicht dafür, sondern der soll nur Leckströme auÃer Wirkung setzen.
Ich löte so etwas ganz normal mit Lötkolben seit den 1980ern.
Steht im Datenblatt, daà das geht, und wie das geht.
Ich kann auch die massive Kollektor-Platte des DPAK ganz normal mit Lötkolben löten.
Es kommt auf das Timing an; die Wärmekapazität ermöglicht das.
SMD-Reflow-Löten geht mit bis zu 270°C, ohne Schaden.
Mit 170°C Tj hat das nichts zu tun.
Ja ich frage mich wie diese Temperatur unter 170 bleiben kann wenn man die
Kollektor-Platte mit 270° loetet.
Wahrscheinlich haelt er es einfach kurzzeitig aus, trotz ueberschreitung der 170.
Der IRF7410 vertraegt sogar nur 150°C.
Das ist üblich; es gibt wenige VorstöÃe auf 170°C (bei Plastik).
Aber das sind Junction-Temperaturen im Betrieb.
Ich brauche eine 3V-Kohle-Batterie zur Ohm-Messung bei meinem Analog-Multimeter.
Die werden offenbar nicht mehr hergestellt.
So habe ich mir Lithium-Knopfzellen 2450 3V gekauft, die ich verlöten muÃ.
Das muà sehr vorsichtig und kurzzeitig erfolgen - eine Sache für Profis.
Ich werde mit einem gummiartigen Polierklotz kleine Stellen polieren.
Besten Löthonig applizieren.
Dann vielleicht 0,7s lang eine Stelle (verbleit) verzinnen und abkühlen lassen.
Einen Draht verzinnen.
Diesen mit der Lötspitze kurz auf die verzinnte Stelle drücken, bis das verschmolzen ist.
--
Mit freundlichen GrüÃen
Helmut Schellong var@schellong.biz
http://www.schellong.de/c.htm http://www.schellong.de/c2x.htm http://www.schellong.de/c_padding_bits.htm
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