C
Christian Treffler
Guest
Hallo,
ich entwerfe gerade eine gesteuerte Stromquelle, um HS-Switches zu
testen. Das Prinzip-Schaltbild sieht so aus:
VCC
+
|
o|
|=|
o|
|
|
||-+
___ ||<-
Contr --|___|--||-+
|
|
.-.
| | 0.1 Ohm
| |
'-'
|
|
===
GND
(created by AACircuit v1.28.6 beta 04/19/05 www.tech-chat.de)
An Contr wird der Strom vorgegeben. Der Schalter oben soll den HS-Switch
darstellen.
Z.Zt. simuliere ich das alles mit LTSPice.
Dabei stelle ich folgendes fest:
Wenn der Switch aufmacht, entsteht ein kurzzeitiger Strom-Puls am Gate
des MOSFET. Meine Theorie ist, dass sich durch die starke Änderung des
Drain-Stromes die Gate/Bulk-Kapazität vergrößert, was die Gate-Spannung
kurzfristig verkleinert und aufgrund der konstanten Contr-Spannung zu
einem "Nachladen" führt.
Mein Problem ist, dass das Ganze auch umgekehrt passiert: Schaltet der
Switch wieder ein, verkleinert sich die Gate/Bulk-Kapazität wieder, die
Gate-Spannung steigt sprungartig an und es findet ein Entlade-Vorgang
statt. In dieser Zeit fliesst statt z.B. angestrebten 2A ein Strom von
7A. Der Puls dauert nur ein paar ľs, aber ich will das gerne vermeiden.
Würde es evtl. helfen, einen MOSFET mir herausgeführtem Bulk-Anschluss
zu verwenden? Gibt es überhaupt Power-MOSFETS mit dieser Eigenschaft?
CU,
Christian
ich entwerfe gerade eine gesteuerte Stromquelle, um HS-Switches zu
testen. Das Prinzip-Schaltbild sieht so aus:
VCC
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|=|
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___ ||<-
Contr --|___|--||-+
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GND
(created by AACircuit v1.28.6 beta 04/19/05 www.tech-chat.de)
An Contr wird der Strom vorgegeben. Der Schalter oben soll den HS-Switch
darstellen.
Z.Zt. simuliere ich das alles mit LTSPice.
Dabei stelle ich folgendes fest:
Wenn der Switch aufmacht, entsteht ein kurzzeitiger Strom-Puls am Gate
des MOSFET. Meine Theorie ist, dass sich durch die starke Änderung des
Drain-Stromes die Gate/Bulk-Kapazität vergrößert, was die Gate-Spannung
kurzfristig verkleinert und aufgrund der konstanten Contr-Spannung zu
einem "Nachladen" führt.
Mein Problem ist, dass das Ganze auch umgekehrt passiert: Schaltet der
Switch wieder ein, verkleinert sich die Gate/Bulk-Kapazität wieder, die
Gate-Spannung steigt sprungartig an und es findet ein Entlade-Vorgang
statt. In dieser Zeit fliesst statt z.B. angestrebten 2A ein Strom von
7A. Der Puls dauert nur ein paar ľs, aber ich will das gerne vermeiden.
Würde es evtl. helfen, einen MOSFET mir herausgeführtem Bulk-Anschluss
zu verwenden? Gibt es überhaupt Power-MOSFETS mit dieser Eigenschaft?
CU,
Christian