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Stefan Huebner
Guest
Hallo zusammen,
in letzter Zeit tauchen ja vermehrt Postings zum Thema Li-Ion-Akkus
auf. Ich habe vor, eine 18650-Zelle zur Versorgung eines Messgerätes
einzusetzen, wobei die Ladung durch einen Controller gesteuert wird.
Was mir im Moment mehr sorgen macht, ist das Posting über den
kugelrund aufgeblähten MP3-Player-Akku. Zwar hat meine Zelle ein
Ventil, aber muss ja trotzdem nicht unbedingt kaputt gehen. Wie
verhindern die gängigen Akku-Schutzschaltungen Tiefentladung bzw wird
darauf überhaupt geachtet? Im Moment sieht meine Abschaltung so aus,
dass zum Verbraucher mit einem P-Kanal-MOSFET getrennt wird, der Strom
hier ist also der S-D-Leckstrom bei Ugs=0 und der Leckstrom durch den
Transistor, der das Gate zum Einschalten auf Masse zieht.
Ladegerätseitig hätte ich eine Diode anzubieten, danach kommt dann
wieder ein P-Kanal-MOSFET, der hier allerdings in leitender Richtung
zu sehen ist, also liegt hier nur die Diode im Weg. Ich hatte
spasseshalber mal durchgerechnet, ob die Energiebilanz mit Schottky
(mehr Leckstrom, stärkere Selbstentladung -> Verlust =
Leckstrom*Akkuspannung*Standby-Zeit) oder einer normalen Si-Diode
(mehr Flussspannung beim Laden -> Verlust = Uf*Icharge*Ladezeit)
besser wäre und es fiel zugunsten der Si-Diode aus. Nur leckt auch die
schlimmstenfalls mit einigen zehn bis hundert Nanoampere. Ist das nun
eine Grössenordnung, bei der ich mir Sorgen machen sollte? Das Gerät
schaltet sich zwar Entladeschlussspannung ab (wie hoch war die doch
gleich für Graphitanode....?), aber der Leckstrom fliesst dann ja
immer noch.
Ideen?
-Stefan
in letzter Zeit tauchen ja vermehrt Postings zum Thema Li-Ion-Akkus
auf. Ich habe vor, eine 18650-Zelle zur Versorgung eines Messgerätes
einzusetzen, wobei die Ladung durch einen Controller gesteuert wird.
Was mir im Moment mehr sorgen macht, ist das Posting über den
kugelrund aufgeblähten MP3-Player-Akku. Zwar hat meine Zelle ein
Ventil, aber muss ja trotzdem nicht unbedingt kaputt gehen. Wie
verhindern die gängigen Akku-Schutzschaltungen Tiefentladung bzw wird
darauf überhaupt geachtet? Im Moment sieht meine Abschaltung so aus,
dass zum Verbraucher mit einem P-Kanal-MOSFET getrennt wird, der Strom
hier ist also der S-D-Leckstrom bei Ugs=0 und der Leckstrom durch den
Transistor, der das Gate zum Einschalten auf Masse zieht.
Ladegerätseitig hätte ich eine Diode anzubieten, danach kommt dann
wieder ein P-Kanal-MOSFET, der hier allerdings in leitender Richtung
zu sehen ist, also liegt hier nur die Diode im Weg. Ich hatte
spasseshalber mal durchgerechnet, ob die Energiebilanz mit Schottky
(mehr Leckstrom, stärkere Selbstentladung -> Verlust =
Leckstrom*Akkuspannung*Standby-Zeit) oder einer normalen Si-Diode
(mehr Flussspannung beim Laden -> Verlust = Uf*Icharge*Ladezeit)
besser wäre und es fiel zugunsten der Si-Diode aus. Nur leckt auch die
schlimmstenfalls mit einigen zehn bis hundert Nanoampere. Ist das nun
eine Grössenordnung, bei der ich mir Sorgen machen sollte? Das Gerät
schaltet sich zwar Entladeschlussspannung ab (wie hoch war die doch
gleich für Graphitanode....?), aber der Leckstrom fliesst dann ja
immer noch.
Ideen?
-Stefan