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wizardyhnr
Guest
Kürzlich bin ich Design ein LNA aus drei Stufen mit einer SiGe-BiCMOS-Prozess. Ich möchte eine Ausgabe 1dB Kompressionspunkt von 10dBm oder höher für die dritte Stufe des LNA. Ich habe eingestellt das Sammeln Ic 12mA, doch habe ich Verschaffen Sie sich einen 1dB Kompressionspunkt 8.5dBm, die niedriger als die figure of merit ist. Haben jemand einen Tipp, wie man die 1dB Kompressionspunkt dieses LNA zu verbessern?