BJT ist durch aktuelle, MOS durch Spannung gesteuert wird. BJT hat pn-Übergänge zwischen Eingang (Basis) und Kollektor und Emitter, MOS keine Kreuzungen. BJT hat Eingangsstrom auf Betrieb Region abhängt, hat MOS keine Eingangsstrom in jeder Region. BJT-Betrieb: Emitter injiziert Minoritätsträger (Löcher oder Elektronen) in den Sockel, und sie sind von dort mit dem Sperrrichtung Sammler vor Elektron-Loch-Rekombination extrahiert. So Minoritätsträger sind für den Stromfluss verwendet. MOS-Betrieb: Bei Gate-Spannung null ist der Source-und Drain sind getrennt. Aber wenn etwas Spannung an das Gate elektrisches Feld gelten soll gegenüber Luftfahrtunternehmen Oberfläche ziehen und wenn die Spannung einige Schwellenwert überschreiten die Source-und Drain wird durch eine flache inverse leitfähigen Kanal angeschlossen werden. Es sieht aus wie spannungsgesteuerten Widerstand - die höhere Spannung der unteren Widerstand.
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