O
Ole Jansen
Guest
Moin,
FĂźr deinen STM32F107 Connectivity Line mĂśchte ich einen nicht
flßchtigen Ereigniszähler implementieren und das interne Flash Memory
benutzen. Ich benĂśtige lediglich eine Routine welche die Zahl der
Ereignisse zurĂźckgibt und eine Andere welche die Anzahl der Ereignisse
um 1 erhĂśht.
Der Chip hat in seinem Flash Speicherseiten mit 2048 bytes die als
Ganzes gelĂśscht werden kĂśnnen (danach sind alle bytes 0xFF) und die
mitgelieferte Bibliothek verwendet fĂźrs Schreiben einer Zelle
jeweils ein word mit 2 byte.
FĂźr die Speicherung von Parametern gibt es von ST eine
EEPROM-Simulation die hier beschrieben ist und etwa 4 byte
Flashspeicher bei jedem Schreibzugriff fĂźr die Aktualisierung eines
Parameters neu beschreibt:
<https://www.st.com/content/ccc/resource/technical/document/application_note/ee/ef/d7/87/cb/b7/48/52/CD00165693.pdf/files/CD00165693.pdf/jcr:content/translations/en.CD00165693.pdf>
Die Anzahl der Ereignisse so hoch dass ich Bedenken hätte dass
die Abnutzung des Flashspeichers zu hoch wird (Etwa Faktor 40).
Daher die Frage:
- Ist es mĂśglich bei dem Chip einzelne bytes zu schreiben?
- Es es u.U sogar mĂśglich in bereits beschriebene Speicherzellen
zu schreiben? z.B. ein bit nach dem Anderen lĂśschen
( 0XFF, 0XFE, 0XFC ... 0X00)?
Kennt jemand den Chip oder die Funktionsweise des internen
Flash etwas genauer oder hat einen anderen Tip?
Danke und viele GrĂźĂe,
O.J.
FĂźr deinen STM32F107 Connectivity Line mĂśchte ich einen nicht
flßchtigen Ereigniszähler implementieren und das interne Flash Memory
benutzen. Ich benĂśtige lediglich eine Routine welche die Zahl der
Ereignisse zurĂźckgibt und eine Andere welche die Anzahl der Ereignisse
um 1 erhĂśht.
Der Chip hat in seinem Flash Speicherseiten mit 2048 bytes die als
Ganzes gelĂśscht werden kĂśnnen (danach sind alle bytes 0xFF) und die
mitgelieferte Bibliothek verwendet fĂźrs Schreiben einer Zelle
jeweils ein word mit 2 byte.
FĂźr die Speicherung von Parametern gibt es von ST eine
EEPROM-Simulation die hier beschrieben ist und etwa 4 byte
Flashspeicher bei jedem Schreibzugriff fĂźr die Aktualisierung eines
Parameters neu beschreibt:
<https://www.st.com/content/ccc/resource/technical/document/application_note/ee/ef/d7/87/cb/b7/48/52/CD00165693.pdf/files/CD00165693.pdf/jcr:content/translations/en.CD00165693.pdf>
Die Anzahl der Ereignisse so hoch dass ich Bedenken hätte dass
die Abnutzung des Flashspeichers zu hoch wird (Etwa Faktor 40).
Daher die Frage:
- Ist es mĂśglich bei dem Chip einzelne bytes zu schreiben?
- Es es u.U sogar mĂśglich in bereits beschriebene Speicherzellen
zu schreiben? z.B. ein bit nach dem Anderen lĂśschen
( 0XFF, 0XFE, 0XFC ... 0X00)?
Kennt jemand den Chip oder die Funktionsweise des internen
Flash etwas genauer oder hat einen anderen Tip?
Danke und viele GrĂźĂe,
O.J.