Spannungsfestigkeit Bipolartransistor

[Alexander Kästner]

Hallo NG,

mal ne Frage.

Kann man davon ausgehen, dass bei Bipolartransistoren für die
Emitter-Kollektor-Spannung, die selben Grenzwerte gelten, wie
für die Kollektor-Emitter-Spannung?

Grüße Alex

 

[Dieter Wiedmann]

"Alexander Kästner" schrieb:

Kann man davon ausgehen, dass bei Bipolartransistoren für die
Emitter-Kollektor-Spannung, die selben Grenzwerte gelten, wie
für die Kollektor-Emitter-Spannung?

Natürlich nicht, sie ist genau -1 mal so hoch.

Ich hab aber den Eindruck, dass du eigentlich was anderes meinst. Falls
das eigentlich heissen sollte Uce(max) vs. Ucb(max), dann empfehle ich
einen Blick ins Datenblatt eines HOT wie z.B. BU508A.


Gruß Dieter

 

[Alexander Kästner]

Dieter Wiedmann <Dieter.Wiedmann@t-online.de> wrote in
news:3FCDD9D4.54182E6B@t-online.de:

"Alexander Kästner" schrieb:

Kann man davon ausgehen, dass bei Bipolartransistoren für die
Emitter-Kollektor-Spannung, die selben Grenzwerte gelten, wie
für die Kollektor-Emitter-Spannung?

Natürlich nicht, sie ist genau -1 mal so hoch.

Quasi: [Uce(max)] = -[Uec(max)]

Gruß Dieter

Gruß Alex

 

[Tilmann Reh]

"Alexander Kästner" schrieb:

Falls Du dabei nur an die Beträge der Spannungen denkst und vorhast,
z.B. bei einem NPN den Emitter positiv gegenüber dem Kollektor zu
machen: vergiß es. Durchbruch der B-E Diode bei ein paar Volt.

--
Dipl.-Ing. Tilmann Reh
Autometer GmbH Siegen - Elektronik nach Maß.
http://www.autometer.de

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In a world without walls and fences, who needs Windows and Gates ?
(Sun Microsystems)

 

[Norbert Hahn]

"Alexander Kästner" <akaestne@htwm.de> wrote:

Hallo NG,

mal ne Frage.

Kann man davon ausgehen, dass bei Bipolartransistoren für die
Emitter-Kollektor-Spannung, die selben Grenzwerte gelten, wie
für die Kollektor-Emitter-Spannung?

Nein, normalerweise nicht. Man muss unterscheiden zwischen
Uce0 und UceR, also ob die Basis unbeschaltet oder mit einem
Widerstand zum Emitter verbunden ist. Das ist der Normal-
betrieb eines Transistors und die Grenzwerte stehen in den
Datenblättern.

Beim Anlegen der "falschen" Spannung wird ein Transistor viel
früher durchbrechen. Ich habe des öfteren als Spannungsbegrenzer
Kleinsignaltransistoren verbaut, bei denen die Basis mit dem
Emitter verbunden waren. In der einen Richtung haben sie UceR
von vielleicht 40V gehalten, in der anderen Polarität etwa
9...10V. Die verhalten sich wie eine Z-Diode, haben aber einen
geringeren Reststrom, wenn die anliegende Spannung klein ist.
Zum Begrenzen von Wechselspannung z.B. am Eingang eines Mikrofon-
verstärkers habe ich solche Transistoren auch antiparallel geschaltet.

Norbert