Simulation mit Spice, Wie viel zuverlässig?

[fala]

Hallo, ich habe eine Spannung Booster für OpAmp gebaut und ich simuliert, das mit Gewürzen in Protel DXP 2004 Software-Paket. Das Design ist von National-Anwendung zur Kenntnis genommen, AN-272 120V Swing Booster ( http://www.national.com/an/AN/AN-272.pdf ). was ich brauche, ist ein Maximum an Stabilität von Spannung und Fähigkeit gleichzeitig sehr niedrigen Spannungen. für Endstufe habe ich verwendet verschiedene Push zieht: Bipolare (wie im Original), bipolare Darlingtons und MOSFETs. alle von ihnen komplementären npn, pnp (n, p-Kanäle bei MOSFETs). Früher habe ich 1UV (1 Mikro-Volt) sinusförmig (1kHz) Eingangssignal und im Vergleich Ausgänge (in Ermangelung einer externen Lärm). einige Transistoren hatte definitiv glatter Ausgänge sind als andere. Ich will wissen, wie viel diese Ergebnisse richtig sind? wenn ich kein Geräusch war in der realen Welt, würde ich diese Ergebnisse? kann ich vertrauen auf die Ergebnisse der Vergleiche zwischen verschiedenen Transistoren von dieser Software? Dank.

 

[flatulent]

Simulatoren sind nur so genau wie die verwendeten Modelle. Bei niedrigeren Frequenzen sind die Modelle akzeptabel. Sie sollten auch nicht einer. Geräuschanalyse. Dies ist Teil des. Ac-Analyse.

 

[fala]

Dank Blähungen, ich will eine konstante Stromquelle mit Spannung Booster, ich habe erklärt, zu bauen. die Auflösung der Strom sollte besser sein als 1 nA (Stromrauschen von weniger als 1 nA). mit SPICE-Simulator habe ich herausgefunden, darlington BJTs sind in der Regel besser als MOSFETs. aber in der Theorie denke ich Störstrom von MOSFETs sind weniger als BJTs im Allgemeinen. so das machte mich ein wenig zu verwirren. kann mir jemand das erklären?

 

[flatulent]

Es hängt alles von den Frequenzbereich. Bei HF-und Mikrowellen der MOS ist leiser. Bei Audio der BJT ist in der Regel leiser. JFET sind noch leiser, aber nicht hohe Leistung.