Schaltentlastung von Leistungs-Mosfets

[Martin Brückel]

Hallo,

kann mir jemand ein paar Basics und grundlegenden Techniken zur
Schaltentlastung von Mosfets (z.B. in Schaltnetzteilen) erklären ?

MfG,
Martin Brückel

 

[Rick Sickel]

"Martin Brückel" wrote:

Hallo,

kann mir jemand ein paar Basics und grundlegenden Techniken zur
Schaltentlastung von Mosfets (z.B. in Schaltnetzteilen) erklären ?

MOSFETs braucht man eigentlich beim Schalten nicht Entlasten, da sie

sehr schnell schalten und einen großen SOAR haben. Wichtiger ist das bei
Bipolartransistronen und GTOs, diese Bauelemente können bei hohen
Spannungen nur noch wenig Verlustleistung aufnehemen können.
Allgemein nimmt man für Einschaltentlastung eine Drossel für
Ausschaltentlastung einen Kondensator. Je nach Schaltung muß man dann
noch mittels Widerstand und Dioden dafür sorgen, daß Kondensator und
Drossel wieder entladen werden.

Rick

 

[MaWin]

Rick Sickel <r.sic_nospam_kel@freenet.de> schrieb im Beitrag <3FDF45B6.F30FBC45@freenet.de>...

kann mir jemand ein paar Basics und grundlegenden Techniken zur
Schaltentlastung von Mosfets (z.B. in Schaltnetzteilen) erklären ?

MOSFETs braucht man eigentlich beim Schalten nicht Entlasten, da sie
sehr schnell schalten und einen großen SOAR haben.

Prust LOL ROTFLOL.

Nicht umsonst wurden Snubber, Clamps, Zero Voltae Switching,
Zero Current Switching und Resonante Schaltungsprinzipen erfunden,
nicht umsonst werden MOSFETs mir sehr belastbaren (2 Ampere und mehr)
Steuer-ICs versorgt.
--
Manfred Winterhoff, reply-to invalid, use mawin at despammed.com
homepage: http://www.geocities.com/mwinterhoff/
de.sci.electronics FAQ: http://dse-faq.elektronik-kompendium.de/
Read 'Art of Electronics' Horowitz/Hill before you ask.
Lese 'Hohe Schule der Elektronik 1+2' bevor du fragst.

 

[Rolf Bombach]

MaWin wrote:

MOSFETs braucht man eigentlich beim Schalten nicht Entlasten, da sie
sehr schnell schalten und einen großen SOAR haben.

Prust LOL ROTFLOL.

Nicht umsonst wurden Snubber, Clamps, Zero Voltae Switching,
Zero Current Switching und Resonante Schaltungsprinzipen erfunden,
nicht umsonst werden MOSFETs mir sehr belastbaren (2 Ampere und mehr)
Steuer-ICs versorgt.

Kommt IMHO doch noch ein klein wenig auf die Spannungen
an. Bei sekundärseitige Schaltregler (die etwa auf dem MOBO)
scheinen obige Komponenten doch ziemlichen Seltenheits-
wert zu haben, wenn ich so LTC-AN66 und AN-84 durchblättere.

--
mfg Rolf Bombach

 

[Rick Sickel]

MaWin wrote:

Rick Sickel <r.sic_nospam_kel@freenet.de> schrieb im Beitrag <3FDF45B6.F30FBC45@freenet.de>...

kann mir jemand ein paar Basics und grundlegenden Techniken zur
Schaltentlastung von Mosfets (z.B. in Schaltnetzteilen) erklären ?

MOSFETs braucht man eigentlich beim Schalten nicht Entlasten, da sie
sehr schnell schalten und einen großen SOAR haben.

Prust LOL ROTFLOL.

Nicht umsonst wurden Snubber, Clamps,

Die gab's schon lange vor den MOSFETs, weil der gute alte
Bipolartransistor das nun mal gebraucht hat.
Schau Dir mal in dem Datenblatt eines MOSFETs bzw. IGBTs und eines
hochsperrenden Bipolartransistors das SOAR-Diagramm an und vergleiche
die beiden.

Zero Voltae Switching,
Zero Current Switching und Resonante Schaltungsprinzipen erfunden,

Das macht man eher um den Wirkungsgrad zu steigern, entweder aus grünem
Bewußtsein oder eher um die Baugröße klein zu machen und auf den
Kühlkörper verzichten zu können.

nicht umsonst werden MOSFETs mir sehr belastbaren (2 Ampere und mehr)
Steuer-ICs versorgt.

Das hat mit der Schaltentlastung nun überhaupt nichts zu tun - eher im
Gegenteil. Die hohen Spitzenströme braucht man um das Gate schnell
umzuladen, womit das schnelle Schalten möglich wird, was eben nur
niedrige Schaltverluste verursacht, womit man auf Entlastungselemente
verzichten kann.

Rick