Rail 2 Rail diskret

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Martin Laabs

Guest
Hallo,

nachdem ich gestern meine Schaltung weiter gebaut habe
(Ich werde mir heute noch ein Buch über Filterdesign ausleihen
gehen *g*) wollte ich ein 1Vss Signal auf 12Vss verstärken, habe
aber nur 12V Versorgungsspannung.
Einfach geht das nicht .. damit habe ich mich abgefunden und beschränke
mich auf 10Vss was IMO machbar ist.
Aber es gibt ja die R2R Opamps. Wie wird das dort gemacht und kann
man die Idee auch in diskrete Schaltungen kopieren?

Und dann Frage ich mich immer wieder wie man sich solche Fragen ohne
Newsgroup beantworten könnte.
Aber es gibt ja so viele Bücher und ich weis nicht welche gut und welcher
weniger gut oder viel zu schwer sind.

Tschüss
Martin L.
 
Martin Laabs schrieb:

nachdem ich gestern meine Schaltung weiter gebaut habe
(Ich werde mir heute noch ein Buch über Filterdesign ausleihen
gehen *g*) wollte ich ein 1Vss Signal auf 12Vss verstärken, habe
aber nur 12V Versorgungsspannung.
Einfach geht das nicht .. damit habe ich mich abgefunden und beschränke
mich auf 10Vss was IMO machbar ist.
Aber es gibt ja die R2R Opamps. Wie wird das dort gemacht und kann
man die Idee auch in diskrete Schaltungen kopieren?
Wie das dort gemacht wird, steht meist in dem Datenblatt.

Typischerweise sind das komplementäre Ausgangsstufen in Emitter-
bzw. Sourceschaltung. Man kann das im Prinzip auch diskret aufbauen,
aber die Einstellung von Arbeitspunkt/Ruhestrom sowie das Herstellen
einer halbwegs linearen Kennlinie sind etwas knifflig...

--
Dipl.-Ing. Tilmann Reh
Autometer GmbH Siegen - Elektronik nach Maß.
http://www.autometer.de

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In a world without walls and fences, who needs Windows and Gates ?
(Sun Microsystems)
 
Martin Laabs <98malaab@gmx.de> schrieb im Beitrag <bt3nnk$2v7h1$1@uni-berlin.de>...
Aber es gibt ja die R2R Opamps. Wie wird das dort gemacht und kann
man die Idee auch in diskrete Schaltungen kopieren?

Diskret ist es einfacher als im IC (Siehe deren Datenblaetter).
Diskret tut es ein Klasse-A Verstaerker mit MOSFET, also
+12V
|
R
+- out
-|I
|S
GND
Der R muss je nach Last niederohmig genug gewaehlt werden,
der MOSFET leistungsstark genug.
Nur wie viel Sinn es macht, an den Grenzen weit in die unlinearen
Bereiche zu kommen, die man mit heftiger Leerlaufverstaerkung
und starker Gegenkopplung bekaempfen wird, sei dahingestellt.
--
Manfred Winterhoff, reply-to invalid, use mawin at despammed.com
homepage: http://www.geocities.com/mwinterhoff/
de.sci.electronics FAQ: http://dse-faq.elektronik-kompendium.de/
Read 'Art of Electronics' Horowitz/Hill before you ask.
Lese 'Hohe Schule der Elektronik 1+2' bevor du fragst.
 

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