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Tach Robert!Mahlzeit allerseits,
ich habe versucht, in der Literatur Oszillatorschaltungen mit einem
pnp-Transistor zu finden- aber erfolglos. Wer hat welche und warum werden
pnp-Transistoren nur selten verwendet?
Grüsse
Robert
Ich habe mal gelesen dass man pnp rauschärmer bauen kann als npn.Habe ich das falsch in Erinnerung oder sind PNP's nicht einfach langsamer
und teurer als NPN's?
Und ich hörte mal, daß sich im Phasenrauschen von Oszillatoren mitHabe ich das falsch in Erinnerung oder sind PNP's nicht einfach langsamer
und teurer als NPN's?
Ich habe mal gelesen dass man pnp rauschärmer bauen kann als npn.
Ist da was dran?
So isses. Frühe Transistoren wurden per Legierung hergestellt. Dabei wurde* Bei Germanium war anno ehedem PNP gängig, NPN der Exot.
Man sehe mal in seinen Braun Lectron Experimentierbaukasten
von ca. 1969: nur Germanium PNPs.
Hatte eventuell auch was mit Fertigungstechnik zu tun.
Nicht Al. In.So isses. Frühe Transistoren wurden per Legierung hergestellt. Dabei wurde
ein n-Kristall von beiden Seiten mit Al kontaktiert und dabei soweit
aufgescholzen, dass eine Al-Ge-Schmelze entstand. So hatte man p-Dotierung
und Metallisierung in einem Schritt. In der Mitte blieb eine n-Basis stehen.
Wirklich? Gibt's da nen Grund für? Ich muß zugeben, daß ich das Al aus menOn Tue, 29 Jul 2003 17:37:14 +0200, "Patrick Schalberger"
antwortadresse@schalberger.de> wrote:
So isses. Frühe Transistoren wurden per Legierung hergestellt. Dabei
wurde
ein n-Kristall von beiden Seiten mit Al kontaktiert und dabei soweit
aufgescholzen, dass eine Al-Ge-Schmelze entstand. So hatte man
p-Dotierung
und Metallisierung in einem Schritt. In der Mitte blieb eine n-Basis
stehen.
Nicht Al. In.
Hat aber damit nichts zu tun, das liegt am geringeren Bandabstand.Dieter Wiedmann schrieb...
Klar, Al schmilzt erst bei 660°C (In: 115°C). Bei dieser Temperatur ist
die Diffusion von Al in Ge aber schon viel zu schnell, man kann keine
definierte Dicke der Basiszone mehr erreichen.
Das paßt auch zu der kleineren max. erlaubten Temperatur bei Ge
Transistoren.
Zunächst mal wird das Si selbstleitend weil durch die hohe TemperaturWas mich in diesem Zusammenhang mal interessieren würde: Was passiert
bei Si Transistoren, wenn deren maximal spezifizierte Sperrschicht oder
Substrattemperatur überschritten wird. Beim alten 3055
Leistungstransistor lag die maximale Temperatur IIRC bei 175 Grad-C.
Schmilzt oberhalb diese Temperatur etwas oder fangen Dotierungsatome an
zu wandern? Letzteres würde ja 'nur' zu einem schleichenden Defekt
führen.
Thermische Spannungen, gerade bei Materialien mit unterschiedlichermDanach dürfte dann irgendwann die Verkappung weich werden, so daß
u. U. durch thermische Spannung ein Bonddraht abreißen kann (bei
Polymer-Verkappung, Kermik hält bißchen länger ;-).
Oder auch schleichende Verschlechterung der Eigenschaften. Mit derAber der schleichende Defekt ist sicher der kritische, zumal er auch
erstmal unbemerkt bleibt, aber infolge Materialwanderung sich der
Chip daran ,,erinnert'', d. h. ein Ausfall u. U. erst viel später
erfolgt.
Das mit der steigenden Verlustleistung infolge Selbstleitung kenn ichZunächst mal wird das Si selbstleitend weil durch die hohe Temperatur
genügend Elektronen ins Leitungsband angehoben werden. Als Folge kann
dann die Verlustleistung weiter ansteigen und entweder legiert der
Transistor dann durch oder die Bondingdrähte schmelzen weg. Den
schleichenden Defekt gibts auch, die MTBF sinkt mit steigender
Sperrschichttemperatur exponentiell.
"Consideration of CTR Variations in Optocoupler Circuit Designs"z.B. eine schleichende Verschlechterung der Lichtausbeute
der großen 7-Segmentanzeigen
Vgl. auch HP-Application-Note AN1002:
So isses. Schmelzen tut da noch nix, beim Löten der Bauteile werdenWas mich in diesem Zusammenhang mal interessieren würde: Was passiert
bei Si Transistoren, wenn deren maximal spezifizierte Sperrschicht
oder Substrattemperatur überschritten wird. Beim alten 3055
Leistungstransistor lag die maximale Temperatur IIRC bei 175 Grad-C.
Schmilzt oberhalb diese Temperatur etwas oder fangen Dotierungsatome
an zu wandern? Letzteres würde ja 'nur' zu einem schleichenden Defekt
führen.
Ja, der Klebstoff bzw. das Lot gleichen das auf der Die-Seite ganzDanach dürfte dann irgendwann die Verkappung weich werden, so daß
u. U. durch thermische Spannung ein Bonddraht abreißen kann (bei
Polymer-Verkappung, Kermik hält bißchen länger ;-).
Thermische Spannungen, gerade bei Materialien mit unterschiedlicherm
Ausdehnungskoeffizient, müsste doch generel ein Problem darstellen,
gerade auch bei Leistungshalbleitern, wo der Chup zwecks Kühlung auf
einer Al oder Cu Platte geklebt wird.