OPAMP Biasstrom PTAT?

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laglead

Guest
In einigen Designs finde ich Opamp ist Biase mit PTAT aus Bandgapreferenz. Warum nicht mit voreingenommen stabilen Strom (aus BGR Spannung an einem Widerstand)? Dann können wir stabile Gm in Bezug auf Temperatur. Ist diese Verwendung von PTAT keine Beziehung mit der Mobilität des Temperaturkoeffizienten?
 
Sie können auch Temperatur unabhängig Stromquelle Bias. Wenn die Frequenz relevanter Bühne ist in der Sättigung Modus über dem unterschwelligen Übergang eine etwas andere Temperatur Wirkung der Vorspannung Quelle betrieben geben temperaturstabil Steilheit oder parasitäre Pol. Es gibt Voreingenommenheit Quellen erzeugen Mobilität dependend Temperatur Effekte durch die Regelung der Referenz, so daß der Spannungsabfall über einen MOS im linearen Modus einige feste Bruchteil einer Bandlücke ist. Wenn der Opamp Gewinn von substhreshold definiert ist PTAT ist der richtige Weg.
 
Hallo, ich habe drei Fragen: 1 - in ur Post u sagte, dass die Verwendung BGR auf einen Widerstand geben stabilen Strom kann u erklären, dass mehr als ich dachte, dass die derzeitige werde ich = V / R, die abhängig sein wird den Widerstand TC wenn die BGR ist konstant "Null TC". 2-Ich wollte wissen, ob ich bin der Gestaltung OTA und ich brauche eine konstante Gm, i in Razavi über eine konstante gm lesen, aber i dont verstehen, nachdem ich die aktuelle erhalten und spiegeln meine OTA wird der Unterschied. Paar gm konstant sein (dh wird jedes MOS-Weitergabe dieser Strom eine konstante gm "3 haben - ich möchte wissen, ist der Widerstand mit + ve oder-ve TC thnx viel?.
 
Hallo, ich habe drei Fragen: 1 - in ur Post u sagte, dass die Verwendung BGR auf einen Widerstand geben stabilen Strom kann u erklären, dass mehr als ich dachte, dass die derzeitige werde ich = V / R, die abhängig sein wird den Widerstand TC wenn die BGR ist konstant "Null TC". Wenn es ein TC Sie können sie mit Hilfe von einer etwas anderen Bandgap kompensieren. Wenn höhere TC Bandlücke ist positiv. Wenn untere negativ. 2-Ich wollte wissen, ob ich bin der Gestaltung OTA und ich brauche eine konstante Gm, i in Razavi über eine konstante gm lesen, aber i dont verstehen, nachdem ich die aktuelle erhalten und spiegeln meine OTA wird der Unterschied. Paar gm konstant sein (dh wird jedes MOS-Weitergabe dieser Strom eine konstante gm "Die meisten oppoints von MOS diffpairs zwischen unterschwelligen und Sättigung. ich, dass der EKV eine interne Variable verwendet, um den Übergang definieren erinnern. Sie können ihnen möglich. In BSIM3V3 die Sättigungsspannung geben der Region. Wenn unterhalb von etwa 100 mV Sie haben eine bipolare ähnliches Verhalten. Aber mit OTA bedeutet einen hohen linearen Spannungsbereich. In diesem Fall verwenden Sie hohe VDSAT. Oder besser ein MOS im linearen Modus mit einer Steilheit Festsetzung der VDS . 3 - Ich möchte wissen, ist der Widerstand mit + ve oder-ve TC thnx viel Was meinst du mit ve bedeuten?.?
 
hallo rfsystems, thnx viel für die Hilfe. in Frage 2 meine ich, dass unter Zugrundelegung von konstanten gm in Razavi CMOS-Seite 392, wo wir haben einen MOS mit einer konstanten GM, jetzt Vorspannung, wenn ich diese Schaltung und kopiert den Strom auf OTA wird diese OTA konstant gm (bzgl. temprteture) . in Frage 3, haben als in poisti [color = red] ve [/color] und negati [color = red] ve [/color]: D Was
 

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