Laser 760nm

[Thomas Pototschnig]

Kennt jemand ein günstiges Lasermodul, bzw Laserdiode mit 760nm, <1mW?

Ist ja nicht so ganz üblich die Wellenlänge und ich hab beim Googeln
nichts gefunden :-(

--
Mfg
Thomas Pototschnig
www.oxed.de

 

[Dieter Wiedmann]

Thomas Pototschnig schrieb:

Kennt jemand ein günstiges Lasermodul, bzw Laserdiode mit 760nm, <1mW?

www.roithner-laser.com


Gruß Dieter

 

[Thomas Pototschnig]

www.roithner-laser.com

Oha - 760nm Laserdioden ab 70eur und aufwärts.
Soviel wollte ich eigentlich nicht investieren :-(

--
Mfg
Thomas Pototschnig
www.oxed.de

 

Thomas Pototschnig wrote:

www.roithner-laser.com

Oha - 760nm Laserdioden ab 70eur und aufwärts.
Soviel wollte ich eigentlich nicht investieren :-(

780nm gibts bei Reichelt - 53,20Eur.

Es scheint aber auch welche in CD Playern zu geben:
http://www.globalsources.com/gsol/I/Optical-laser/p/2000000003844/3000000149681/sm/1001455040.htm

 

[Thomas Pototschnig]

780nm gibts bei Reichelt - 53,20Eur.

Es scheint aber auch welche in CD Playern zu geben:
http://www.globalsources.com/gsol/I/Optical-laser/p/2000000003844/3000000149681/sm/1001455040.htm

780nm nützen mir leider nichts. Trotzdem Danke für den Tipp.

--
Mfg
Thomas Pototschnig
www.oxed.de

 

Thomas Pototschnig wrote:

780nm gibts bei Reichelt - 53,20Eur.

Es scheint aber auch welche in CD Playern zu geben:

http://www.globalsources.com/gsol/I/Optical-laser/p/2000000003844/3000000149681/sm/1001455040.htm


780nm nützen mir leider nichts. Trotzdem Danke für den Tipp.

Schade eigentlich...

Ich habe gerade mal die Lasereinheit aus einem defekten Sharp Kopierer
auseinander genommen. Ist ein LT026MD drin. Leider auch 780nm!
Evtl. solltest Du die Datenblätter von Laserdruckern/Kopierern studieren und
einen defekten bei ebay kaufen !?!?!?

 

Thomas Pototschnig wrote:

780nm gibts bei Reichelt - 53,20Eur.

Es scheint aber auch welche in CD Playern zu geben:

http://www.globalsources.com/gsol/I/Optical-laser/p/2000000003844/3000000149681/sm/1001455040.htm


780nm nützen mir leider nichts. Trotzdem Danke für den Tipp.

Der Link zeigt auf eine mit 760nm ;-)

Was mir aufgefallen ist: bei den "günstigen" Dioden wird teilweise eine
Toleranz von +-10nm angegeben! Wenn dann die 780ger das auch haben ???
Bei http://www.roithner-laser.com (siehe oben) gibt es auch LED für 760nm.
Evtl. ....
So, mehr fällt mir leider nicht mehr ein.
Viel Glück!

 

[Bjoern Schliessmann]

tuxfriend@arcor.de wrote:

Der Link zeigt auf eine mit 760nm ;-)
Was mir aufgefallen ist: bei den "günstigen" Dioden wird teilweise
eine Toleranz von +-10nm angegeben!

Bei Halbleiterdioden wirken sich die Abmessungen sehr auf die
Sendefrequenz aus (z.B. lassen sie sich mit einer
Temperaturregelung in einem ganzen Frequenzintervall durchstimmen).
Wenn die Fertigungstoleranzen nicht gut genug sind, kann es da
durchaus solche Bereiche geben.

Grüße,


Björn

--
BOFH Excuse #291:

Due to the CDA, we no longer have a root account.

 

Bjoern Schliessmann wrote:

Bei Halbleiterdioden wirken sich die Abmessungen sehr auf die
Sendefrequenz aus (z.B. lassen sie sich mit einer
Temperaturregelung in einem ganzen Frequenzintervall durchstimmen).
Wenn die Fertigungstoleranzen nicht gut genug sind, kann es da
durchaus solche Bereiche geben.

Theoretisch:
Könnte man da nicht eine 780nm zu einer 760nm machen ???
Um welchen Temperaturbereich handelt es sich?
Muß man kühlen oder wärmen um zu einer kleineren Wellenlänge zu kommen?
Hoffentlich wärmen ;-)

 

[Jonas Stein]

Hi tuxfriend@arcor.de

Theoretisch:
Könnte man da nicht eine 780nm zu einer 760nm machen ???
Um welchen Temperaturbereich handelt es sich?
Muß man kühlen oder wärmen um zu einer kleineren Wellenlänge zu kommen?
Hoffentlich wärmen ;-)

Kuehlen -> Chip wird kleiner -> Cavity wird kleiner -> Wellenlaenge wird
kleiner.

Die Ausdehnung mit der Waerme wird sicher fast linear sein, aber
entscheidender Faktor ist, wieviele Wellenzuege in der Cavity sind.

War das so richtig?

ps: Dein Absendename ist unvollstaendig.

--
mit besten Grüßen,

Jonas Stein <news@jonasstein.de>

 

[Tuxfriend]

Jonas Stein wrote:

Kuehlen -> Chip wird kleiner -> Cavity wird kleiner -> Wellenlaenge wird
kleiner.

Die Ausdehnung mit der Waerme wird sicher fast linear sein, aber
entscheidender Faktor ist, wieviele Wellenzuege in der Cavity sind.

War das so richtig?
Ich habe da was gefunden.

http://student.fho-emden.de/~markraus/micro/laserdiode.html
Kühlung 80K unter Raumtemperatur. Na, ja. Lassen wir das!

ps: Dein Absendename ist unvollstaendig.

Na gut. Neuer Name.

 

[Bjoern Schliessmann]

Jonas Stein wrote:

Hi tuxfriend@arcor.de

Könnte man da nicht eine 780nm zu einer 760nm machen ???
Um welchen Temperaturbereich handelt es sich?

Ich habe mal mit einem Halbleiterlaser gearbeitet, den man bei
Temperaturen von 10°C bis 40°C knapp zwischen 800 und 810 nm
durchstimmen konnte.

Die Ausdehnung mit der Waerme wird sicher fast linear sein,

Im Prinzip ja, aber ohne größeren Aufwand bekommt man keine
Temperaturregelung des Halbleiters direkt hin, sondern nur des
"Halters" -- deshalb verändert sich der Zusammenhang abhängig vom
Strom (Strom höher -> mehr Heizung -> größerer T-Unterschied
zwischen Halterung und Diode).

aber entscheidender Faktor ist, wieviele Wellenzuege in der Cavity
sind.

So kann man es auch sagen. Das entscheidende ist eben der
Frequenzkamm, der im Resonator (in Form stehender Wellen)
existieren kann, und das hängt an der Bedingung l = n*lambda/2,
n = 1, 2, 3, ...

Grüße,


Björn

--
BOFH Excuse #449:

greenpeace free'd the mallocs

 

[Michael Eggert]

Bjoern Schliessmann <chr0n0ss@despammed.com> wrote:

Moin!

Das entscheidende ist eben der
Frequenzkamm, der im Resonator (in Form stehender Wellen)
existieren kann, und das hängt an der Bedingung l = n*lambda/2,
n = 1, 2, 3, ...

Und da n üblicherweise um die 1000 liegt, spielt die absolute Länge
der Diode ebenso wie die Temperaturabhängigkeit derselben bei
einfachen (Fabry-Perot) Lasern überhaupt keine Rolle - jedenfalls
nicht für Änderungen von mehr als nem nm. Dafür ändert sich das
Verstärkungsprofil des Halbleiters, und diese Änderung wirkt sich
stärker aus als die der Längenänderung, zu sehen an den Modensprüngen
im bereits genannten Link.

Anders schauts bei DFB-/DBR-Dioden aus, die nur bei bestimmten n eine
Welle zulassen. Sowas gibts aber nicht in der vom OP anvisierten
Preisklasse.

Gruß,
Michael.

 

[Bjoern Schliessmann]

Michael Eggert wrote:

Und da n üblicherweise um die 1000 liegt, spielt die absolute
Länge der Diode ebenso wie die Temperaturabhängigkeit derselben
bei einfachen (Fabry-Perot) Lasern überhaupt keine Rolle -
jedenfalls nicht für Änderungen von mehr als nem nm.

Überhaupt keine Rolle in welcher Hinsicht? Wenn du beispielsweise
einen Festkörperlaser damit pumpen willst, solltest du schon eine
funktionierende Absorptionswellenlänge einhalten, wenn du nicht
unnötig Energie verpulvern willst.

Dafür ändert
sich das Verstärkungsprofil des Halbleiters, und diese Änderung
wirkt sich stärker aus als die der Längenänderung, zu sehen an den
Modensprüngen im bereits genannten Link.

Wenn es dir allein um Ausgangsleistung geht, ja. Geht es aber oft
nicht.

Grüße,


Björn

--
BOFH Excuse #13:

we're waiting for [the phone company] to fix that line

 

[Michael Eggert]

Bjoern Schliessmann wrote:

Moin!

Und da n üblicherweise um die 1000 liegt, spielt die absolute
Länge der Diode ebenso wie die Temperaturabhängigkeit derselben
bei einfachen (Fabry-Perot) Lasern überhaupt keine Rolle -
jedenfalls nicht für Änderungen von mehr als nem nm.

Überhaupt keine Rolle in welcher Hinsicht?

In Hinsicht auf Wellenlängenänderungen größer als 1nm, weil dann eh
schon wieder einige Modensprünge passiert sind, weil die
Wellenlängenänderung durch Temperaturabhängigkeit des
Verstärkungsprofils nicht identisch zur Wellenlängenänderung durch
Ausdehnung des Halbleiters ist.

Du hattest geschrieben:

| Bei Halbleiterdioden wirken sich die Abmessungen sehr auf die
| Sendefrequenz aus (z.B. lassen sie sich mit einer
| Temperaturregelung in einem ganzen Frequenzintervall durchstimmen).

An und für sich stimmt das zwar, aber: Die Temperaturabhängigkeit der
Wellenlänge hervorgerufen durch Ausdehnung beträgt bei Dioden dieser
Wellenlänge gerade mal so um die 0,06nm/K - und zwar innerhalb eines
schmalen Bereichs bis zum nächsten Modensprung. Um eine Diode von 780nm
auf 760nm (mehr als 2%!) alleine über die Ausdehnung des Halbleiters zu
ziehen, bräuchtest Du demnach 330K Temperaturdifferenz.

Wenn es dir allein um Ausgangsleistung geht, ja. Geht es aber oft
nicht.

Wenn es um was anderes geht - nämlich um die Frequenz - sind wir aber
auch nicht mehr bei eh longitudinal multimodig laufenden FP, sondern bei
DFB oder DBR und damit erst recht nicht mehr bei "70eur und aufwärts
wollte ich eigentlich nicht investieren".

Gruß,
Michael.

 

[Bjoern Schliessmann]

Michael Eggert wrote:

In Hinsicht auf Wellenlängenänderungen größer als 1nm, weil dann
eh schon wieder einige Modensprünge passiert sind,

Das habe ich aber schon anders beobachtet.

http://de.geocities.com/chr0n0ss/1-rel-abs.jpeg

Den Graph habe ich mit einem GaAlAs-Halbleiterlaser aufgenommen, der
einen Nd:YAG-Kristall pumpen sollte. Wie du siehst sind 5 nm
Unterschied bestens drin, ohne Modensprünge. Nicht dass dieses
Beispiel konstruiert wäre

An und für sich stimmt das zwar, aber: Die Temperaturabhängigkeit
der Wellenlänge hervorgerufen durch Ausdehnung beträgt bei Dioden
dieser Wellenlänge gerade mal so um die 0,06nm/K

Der schonmal erwähnte Link sagt was von 0,25 nm/K... Bei meinem
Graph kommt es sogar auf 0,3 nm/K.

- und zwar
innerhalb eines schmalen Bereichs bis zum nächsten Modensprung. Um
eine Diode von 780nm auf 760nm (mehr als 2%!) alleine über die
Ausdehnung des Halbleiters zu ziehen, bräuchtest Du demnach 330K
Temperaturdifferenz.

ACK, über 20 nm wird es wirklich haarig. Um nicht zu sagen
unmöglich. Aber um sich geeignete Maxima einer Absorption
rauszusuchen reicht es, s.o.

Grüße,


Björn

--
BOFH Excuse #315:

The recent proliferation of Nuclear Testing

 

[Michael Eggert]

Moin!

Das habe ich aber schon anders beobachtet.
http://de.geocities.com/chr0n0ss/1-rel-abs.jpeg
Den Graph habe ich mit einem GaAlAs-Halbleiterlaser aufgenommen

FP-Diode? Wie und mit welcher Auflösung hast Du die Wellenlänge
gemessen? Bei 1mm Länge des Halbleiters, Brechungsindex n=3 und
Wellenlänge 800nm hast Du übrigens einen Modenabstand von ca. 0,1nm.

Ich vermute mal, daß die Diode die ganze Zeit multimodig lief und sich
das Verhältnis der Leistung in den einzelnen Moden halbwegs
kontinuierlich verändert hat.

Die Temperaturabhängigkeit
der Wellenlänge hervorgerufen durch Ausdehnung beträgt bei Dioden
dieser Wellenlänge gerade mal so um die 0,06nm/K

Der schonmal erwähnte Link sagt was von 0,25 nm/K... Bei meinem
Graph kommt es sogar auf 0,3 nm/K.

Der Link ist derart schwammig formuliert, im ganzen Text kommt nicht ein
einziges Mal das Wort Mode vor. Insofern würde gehe ich mal davon aus,
daß mit den 0,25nm/K die _mittlere_ Steigung im Graphen gemeint ist,
also Ausdehnung+Modensprünge.

Die 0,06nm/K ist übrigens die Temperaturabhängigkeit üblicher DFB-Dioden
in diesem Wellenlängenbereich, diese sind grundsätzlich modensprungfrei
und daher das beste Beispiel dafür, wie sich die thermische Ausdehnung
des Resonators ganz alleine auswirkt.

Gruß,
Michael.

 

[Michael Eggert]

Michael Eggert wrote:

Nachtrag...

Die 0,06nm/K ist übrigens die Temperaturabhängigkeit üblicher DFB-Dioden
in diesem Wellenlängenbereich [800nm]

Und - ganz nebenbei - beträgt der thermische Ausdehnungskoeffizient von
GaAs nur schlappe 6E-6/K. Das liegt _nochmal_ einen Faktor 10 unter den
(0,06nm/800nm)/K und bedeutet, daß auch die geringen Frequenzänderungen
ganz ohne Modensprünge weniger von der thermischen Ausdehnung, sondern
wohl mehr von der Temperaturabhängigkeit des effektiven Brechungsindex
stammen.

Gruß,
Michael.