Kurzschlussschutz

A

Arne Krüger

Guest
Moin,
ich bin gerade dabei, einen Kurzschlussschutz in meinen ľC Dimmer zu
bauen. Dabei dachte ich mir, einfach eine Polyfuse zwischen Source und
0V zu schalten, sodass dann die Gate/Source Spannung absinkt und der Fet
sperrt.

+12V
|
|
Lampe 20W
|
|D
AVR PWM o-----G IRLZ34
|S
|
|
R/Polyfuse???
|
|
0V


Doch was passiert dann? Es fließt ja kein Strom mehr durch die Polyfuse,
sodass sie abkühlt und der Fet wieder durchsteuert. Dh doch, dass er
dann wieder voll belastet wird und dieser Überlastschutz sinnlos ist.
Wäre es besser, wenn man die Polyfuse zwischen 12V und Lampe baut oder
ist meine Überlegung mit dem Überlasteten FET bei Polyfuse zwischen 0V
und Source falsch.
Dann gibt es natürlich auch noch die Möglichkeit einen normalen
Widerstand zwischen S und 0V zu schalten. Der Effekt mit der Spannung
zwischen G und S wäre natürlich ähnlich. Nur verbrät mir ein Widerstand
zu viel Leistung.
Ich würde den FET aus Platzgründen nämlich auch gerne ohne Kühlkörper
benutzen, was die Belastungsgrenze natürlich auch wieder sinken lässt.

Was meint ihr, was ist die beste Lösung?

ciao, Arne
 
Arne Krüger <news.kruegerarne@web.de> schrieb im Beitrag <cb3r02$dja$02$1@news.t-online.com>...

ich bin gerade dabei, einen Kurzschlussschutz in meinen ľC Dimmer zu
bauen.
Eine Polyfuse (also thermische Sicherung) ist viiiiel zu langsam
um einen FET zu schuetzen. Vergiss das.

Bau einen Messwideratand (Shunt) in die Source-Leitung und:

Lampe
|
--R--+--|I
NPN >|--+
E| Shunt (0.7V Spannungsabfall bei Strombegrenzungseintritt)
-----+---+--

Im Strombegrenzungsfall wird der MOSFET aber mehr als 20 Watt in
Waerme umsetzen muessen. Also brauchst du doch einen KK.

Es kann besser sein, ihn per AVR fuer eine Weile ganz abzuschalten:

Lampe | +5V
| 49k
--R-+-|I |
+--(----(--|>|-+ (zieht Gate sofort auf Masse)
| +--|+\_|_
+----(--|-/ (Eingang in AVR, Software schaltet PWM ab)
Shunt 1k Komparator (OpAmp)
-------+----+--

Oder gleich einen gegen Ueberstrom und Uebertemp geschuetzten MOSFETs
nehmen, z.B. ein HitFET wie BTS141 von Infineon (nicht die langsamen
ProFET weil du ja PWM machst, dennoch PWM nicht zu hochfrequent).

Dessen Schutz bekommst du mit Einzelbauteilen nie hin. Es gibt
dutzende von denen mit verschiedenen Parametern und Pinbelegungen.
--
Manfred Winterhoff, reply-to invalid, use mawin at despammed.com
homepage: http://www.geocities.com/mwinterhoff/
de.sci.electronics FAQ: http://dse-faq.elektronik-kompendium.de/
Read 'Art of Electronics' Horowitz/Hill before you ask.
Lese 'Hohe Schule der Elektronik 1+2' bevor du fragst.
 

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