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Andre Grosse Bley
Guest
Hallo NG,
ich habe hier ein Problem, bei dem ich nicht weiter komme.
Ich muss drei MOSFETs (Ptot = 182W, Rth JC=0.26K/W) und drei
Widerstände (Ptot = 14W, Rth JC=0.70K/W)
auf ein gemeinsames Kühlblech montieren (Rth HA= 0.09K/W,
Kühlaggregat von Fischer). Isolation etc ist kein Problem.
Die Literatur die ich hier habe geht von einem Halbleiter
auf einem Kühlblech aus, das übliche Tj=(Rth JC + Rth CH +
Rth HA) * P + Tamb
(Rth CH ca. 0.05K/W)
Oft wird der Vergleich Verlustleistung = Stromquelle gemacht.
Daher habe ich geschlossen, dass ich die JC und CH Zweige samt
Quelle parallelschalte. Wird im Tietze-Schenk auch kurz angedeutet.
Die Widerstaende verheizen deutlich weniger Leistung als die MOSFETs,
bleiben also auch deutlich kühler. Demnach müsste das Kühlblech
doch die Widerstände aufheizen?
Rechne ich 588W * 0.09K/W komme ich auf 53K, damit würde das Kühlblech
wärmer als die MOSFET-Gehäuse?
Irgendwo muss da ein großer Denkfehler sein. Nur wo?
Über einen Literaturtip oder eine Erleuchtung wäre ich dankbar.
Ich denke, dass ich auch dafür sorgen muss, die Verlustleistung
gleichmässig auf die Fläche zu verteilen.
Genauere Informationen dürfte man vermutlich nur mit FE-Simulation
erhalten? Mir würde eine "Faustformel" schon ausreichen.
Grüße,
Andre
ich habe hier ein Problem, bei dem ich nicht weiter komme.
Ich muss drei MOSFETs (Ptot = 182W, Rth JC=0.26K/W) und drei
Widerstände (Ptot = 14W, Rth JC=0.70K/W)
auf ein gemeinsames Kühlblech montieren (Rth HA= 0.09K/W,
Kühlaggregat von Fischer). Isolation etc ist kein Problem.
Die Literatur die ich hier habe geht von einem Halbleiter
auf einem Kühlblech aus, das übliche Tj=(Rth JC + Rth CH +
Rth HA) * P + Tamb
(Rth CH ca. 0.05K/W)
Oft wird der Vergleich Verlustleistung = Stromquelle gemacht.
Daher habe ich geschlossen, dass ich die JC und CH Zweige samt
Quelle parallelschalte. Wird im Tietze-Schenk auch kurz angedeutet.
Die Widerstaende verheizen deutlich weniger Leistung als die MOSFETs,
bleiben also auch deutlich kühler. Demnach müsste das Kühlblech
doch die Widerstände aufheizen?
Rechne ich 588W * 0.09K/W komme ich auf 53K, damit würde das Kühlblech
wärmer als die MOSFET-Gehäuse?
Irgendwo muss da ein großer Denkfehler sein. Nur wo?
Über einen Literaturtip oder eine Erleuchtung wäre ich dankbar.
Ich denke, dass ich auch dafür sorgen muss, die Verlustleistung
gleichmässig auf die Fläche zu verteilen.
Genauere Informationen dürfte man vermutlich nur mit FE-Simulation
erhalten? Mir würde eine "Faustformel" schon ausreichen.
Grüße,
Andre