knapp 100 V/us Slew-Rate bei parallel geschalteten ALF16N/P2

L

Leo Baumann

Guest
Wir hatten ja lange Diskussionen Ăźber die notwendige Slew-Rate einer
MOSFET-Endstufe.-

Hier ein Konzept fĂźr eine MOSFET-Endstufe mit parallel geschalteten
ALF16N20W u. ALF16P20W nach Tietze/Schenk mit nicht invertierendem OP.

Erreicht wird, wie man im Bild sehen kann, eine Slew-Rate von knapp 100
V/us, was mehr als ausreichend ist. Man kĂśnnte also noch mehr MOSFETs
parallel schalten.

www.leobaumann.de/newsgroups/ALF16P_N20W.png
 
Am 28.11.2019 um 08:25 schrieb Bubo bubo:
> Dann geh doch endlich zum Psychiater.

Ich bin bei den alliierten Psychiatern angestellt.
 
Am 28.11.2019 um 08:23 schrieb Leo Baumann:
Am 28.11.2019 um 08:21 schrieb Bubo bubo:
Du verstehst es halt nicht.

Doch, der Dreck muss weg vom Globus oder mindestens zum Psychiatewr.
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Dann geh doch endlich zum Psychiater.
 
Am 28.11.2019 um 08:21 schrieb Bubo bubo:
> Du verstehst es halt nicht.

Doch, der Dreck muss weg vom Globus oder mindestens zum Psychiatewr.
 
Am 28.11.2019 um 08:12 schrieb Leo Baumann:
Am 28.11.2019 um 08:07 schrieb Bubo bubo:
Die Modelle haben ihre Grenzen, du hast die Ăźberschritten.

Ja, ich habe die deutsche Grenze Ăźberschritten - ich habe gekĂźndigt beim
Bund, Hund, KĂśter :)
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Du verstehst es halt nicht.
 
Am 28.11.2019 um 08:07 schrieb Bubo bubo:
> Die Modelle haben ihre Grenzen, du hast die Ăźberschritten.

Ja, ich habe die deutsche Grenze Ăźberschritten - ich habe gekĂźndigt beim
Bund, Hund, KĂśter :)
 
Am 28.11.2019 um 08:03 schrieb Leo Baumann:
Am 28.11.2019 um 07:58 schrieb Bubo bubo:
Aber eben nur in deiner realitätsfernen Simulation

Fast, eine von den Schnellen läuft ja.
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Das Märchen ist bekannt.


Übrigens, wenn eine Simulation
fehlerfrei läuft, und der Aufbau u. das Layout gut ist, dann läuft die
Schaltung auch in den meisten Fällen.
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Die Modelle haben ihre Grenzen, du hast die Ăźberschritten.
 
Am 28.11.2019 um 07:58 schrieb Bubo bubo:
> Aber eben nur in deiner realitätsfernen Simulation

Fast, eine von den Schnellen läuft ja. Übrigens, wenn eine Simulation
fehlerfrei läuft, und der Aufbau u. das Layout gut ist, dann läuft die
Schaltung auch in den meisten Fällen.
 
Am 28.11.2019 um 07:54 schrieb Leo Baumann:
Am 28.11.2019 um 07:49 schrieb Bubo bubo:
Dann bau den Oszillator doch endlich!

Ich will gar keine Endstufe bauen. Ich habe nur die Literatur u. mein
Hirn nach MÜglichkeiten fßr anständige Treiber fßr MOSFETs durchsucht
damit die Ciss der MOSFETs kein Problem bezĂźglich der Slew-Rate darstellen.

Alles eine Sache der Schaltungstechnik.
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Aber eben nur in deiner realitätsfernen Simulation.
 
Am 28.11.2019 um 07:49 schrieb Bubo bubo:
> Dann bau den Oszillator doch endlich!

Ich will gar keine Endstufe bauen. Ich habe nur die Literatur u. mein
Hirn nach MÜglichkeiten fßr anständige Treiber fßr MOSFETs durchsucht
damit die Ciss der MOSFETs kein Problem bezĂźglich der Slew-Rate darstellen.

Alles eine Sache der Schaltungstechnik.
 
Am 28.11.2019 um 05:35 schrieb Leo Baumann:
Wir hatten ja lange Diskussionen Ăźber die notwendige Slew-Rate einer
MOSFET-Endstufe.-

Hier ein Konzept fĂźr eine MOSFET-Endstufe mit parallel geschalteten
ALF16N20W u. ALF16P20W nach Tietze/Schenk mit nicht invertierendem OP.

Erreicht wird, wie man im Bild sehen kann, eine Slew-Rate von knapp 100
V/us, was mehr als ausreichend ist. Man kĂśnnte also noch mehr MOSFETs
parallel schalten.

www.leobaumann.de/newsgroups/ALF16P_N20W.png
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Dann bau den Oszillator doch endlich!
 
Am 28.11.2019 um 08:27 schrieb Leo Baumann:
Am 28.11.2019 um 08:25 schrieb Bubo bubo:
Dann geh doch endlich zum Psychiater.

Ich bin bei den alliierten Psychiatern angestellt.
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Armer kranker Mann.
 
In message <qrnqld$10q3$2@gioia.aioe.org>
Bubo bubo <groVo@home.net> wrote:


www.leobaumann.de/newsgroups/ALF16P_N20W.png


Dann bau den Oszillator doch endlich!
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Voll ACK !
Ohne den Vergleich zu Testaufbauten ist simulieren relativ sinnlos,
insbesondere daraus dann Behauptungen aufzubauen.

Gerade was Schaltverhalten anbelangt oder das Verhalten von Trafos
muss man an den Modellen Parameter ändern oder eben nach anderen Modellen
suchen, so dass man Übereinstimmung findet und weiss unter welchen
Bedingungen dann die Simulation halbwegs arbeitet.

Anstatt Tietze Schenk sollte Leo vielleicht mal in den Reisch
reinschauen, um etwas Hintergrund über die Parameter der Modelle zu
gelangen ;-)

--
mit freundlichen Gruessen/ best regards Joerg Niggemeyer Dipl.Physiker
WEB: http://www.nucon.de https://www.led-temperature-protection.com
Nucon GbR Steinbecker Muehlenweg 95, 21244 Buchholz idN, Germany
UST-IDNR.: DE 231373311, phone: +49 4181 290913, fax: +49 4181 350504
WEEE-Reg.-Nr.:DE 31372201
 
Am 28.11.2019 um 14:33 schrieb Joerg Niggemeyer:
Anstatt Tietze Schenk sollte Leo vielleicht mal in den Reisch
reinschauen, um etwas Hintergrund Ăźber die Parameter der Modelle zu
gelangen;-)
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Ja, danke, der Reisch fehlt mir noch in meiner Sammlung.
 
On 11/28/2019 05:35, Leo Baumann wrote:
Wir hatten ja lange Diskussionen Ăźber die notwendige Slew-Rate einer
MOSFET-Endstufe.-

Hier ein Konzept fĂźr eine MOSFET-Endstufe mit parallel geschalteten ALF16N20W
u. ALF16P20W nach Tietze/Schenk mit nicht invertierendem OP.

Erreicht wird, wie man im Bild sehen kann, eine Slew-Rate von knapp 100 V/us,
was mehr als ausreichend ist. Man kĂśnnte also noch mehr MOSFETs parallel
schalten.

www.leobaumann.de/newsgroups/ALF16P_N20W.png
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Slew-rate und Rechteck-Eingangssignal scheinen fĂźr Dich
die SchlĂźsselfaktoren fĂźr die Beurteilung einer Audio-Endstufe
zu sein.
Ich bin hier anders gelagert.
Es gab da Einschätzungen von Dir, nach denen mein Treiber
180 mA Strom liefern können muß, und daß meine Endstufe
mehr als 15 V/us nicht wird liefern kĂśnnen.

Tatsachen sind, daß 8 mA Gate-Strom für 200 kHz mit 90% Last
reichen, und daß ich die Slew-rate von eingangs 53 V/us
nun auf über 150 V/us erhöhte, und daß meine Endstufe
eine {-3dB}-Bandbreite von 700 kHz hat.
An Deiner Sichtweise ist folglich etwas falsch.

Keine Audio-Endstufe wird einem Rechteck-Signal
mit 1 ns schnellen Flanken folgen kĂśnnen.
Der Gate-Strom wird also bei BemĂźhungen dazu (endlos)
immer weiter steigen, ohne (je) schnell genug zu sein.
Das ergibt keinen Sinn:

Die maximale Slew-rate des Eingangssignals muß ja mit dem
Verstärkungsfaktor der Endstufe multipliziert werden:
Beispielsweise 2 V/ns * 30 = 60000 V/us.
Andernfalls werden die Proportionen des Eingangssignals
nicht unverzerrt wiedergegeben.


--
Mit freundlichen Grüßen
Helmut Schellong var@schellong.biz
www.schellong.de www.schellong.com www.schellong.biz
http://www.schellong.de/c.htm
 
Am 28.11.2019 um 19:29 schrieb Helmut Schellong:
[...]

Nein, Rechtecksignal und Slew-Rate sind nur 2 Bestandteile, die wichtig
sind fĂźr eine Endstufe.

Slew-Rate ist Slew-Rate, da wird nichts mit der Verstärkung multipliziert.

Die hier oben gezeigte Endstufe hat 150 W_rms an 4 Ohm, das erfordert
zur fehlerfreien CD-Wiedergabe 20.05kHZ*2*PI*sqrt(2*150W*4Ohm)=4.36 V/us
Slew-Rate.

Bei Parallelschaltung von MOSFET-Transistoren wird die nicht
ausreichende Slew-Rate der Endstufe wegen der Gate-Kapazitäten meist
ßbersehen. In diesem Fall it die Slew-Rate nämlich der Flaschenhals.
 
[...]

Das Parallelschalten von MOSFETs erfordert in den meisten Fällen
spezielle Schaltungstechnik beim MOSFET-Treiber.

Beim Einsatz von MOSFETS in Endstufen verlagert man die Problematik zum
MOSFET-Treiber im Vergleich zur bip. Trans.-Endstufe.
 
On 11/28/2019 20:10, Leo Baumann wrote:
Am 28.11.2019 um 19:29 schrieb Helmut Schellong:
[...]

Nein, Rechtecksignal und Slew-Rate sind nur 2 Bestandteile, die wichtig sind
fĂźr eine Endstufe.
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Weder Rechtecksignal noch Slew-rate sind wichtig oder notwendig, sie
festzustellen, bei einer Endstufe.

> Slew-Rate ist Slew-Rate, da wird nichts mit der Verstärkung multipliziert.

Ich multipliziere in LTspice
und erreiche dadurch extrem aufschlußreiche Daten.

Die hier oben gezeigte Endstufe hat 150 W_rms an 4 Ohm, das erfordert zur
fehlerfreien CD-Wiedergabe 20.05kHZ*2*PI*sqrt(2*150W*4Ohm)=4.36 V/us Slew-Rate.

Bei Parallelschaltung von MOSFET-Transistoren wird die nicht ausreichende
Slew-Rate der Endstufe wegen der Gate-Kapazitäten meist ßbersehen. In diesem
Fall it die Slew-Rate nämlich der Flaschenhals.
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Warum ist die Slew-rate der Flaschenhals?
Die Gate-Kapazität ist fßr Sinus genau so zu beachten.


--
Mit freundlichen Grüßen
Helmut Schellong var@schellong.biz
www.schellong.de www.schellong.com www.schellong.biz
http://www.schellong.de/c.htm
 
On 11/28/2019 20:17, Leo Baumann wrote:
Das Parallelschalten von MOSFETs erfordert in den meisten Fällen spezielle
Schaltungstechnik beim MOSFET-Treiber.
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Bei mir nicht.
Ich sah und sehe das nicht.
Und professionelle Ratgeber aus der Alfet-Szene sagen das Gegenteil.

Beim Einsatz von MOSFETS in Endstufen verlagert man die Problematik zum
MOSFET-Treiber im Vergleich zur bip. Trans.-Endstufe.
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Man hat es mit MOSFETs insgesamt leichter.


--
Mit freundlichen Grüßen
Helmut Schellong var@schellong.biz
www.schellong.de www.schellong.com www.schellong.biz
http://www.schellong.de/c.htm
 
Am 28.11.2019 um 23:33 schrieb Helmut Schellong:
Warum ist die Slew-rate der Flaschenhals?
Die Gate-Kapazität ist fßr Sinus genau so zu beachten.
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Ja natĂźrlich - aber sie wird mit einem Heaviside-Impuls (oder Rechteck)
gemessen.
 
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