In einer Vorbereitungsphase, wird der gesamte offene PN-Übergang der Diode mit einer Passivierungsschicht Glasschicht überzogen. Die Passivierung Glasschicht ist, die ganze Schnittfläche jeder Diode Chip aufgebracht und separat bei der Vorbereitung Verfahren entlassen. Die offene PN-Übergang des Glases passiviert Silizium-Halbleiter-Diode Chip hat eine positive abgeschrägt geschnitten, damit die Sperrspannung Widerstand verbessert werden kann und die Möglichkeit einer Leckage reduziert werden kann.
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