gemeinsamen Gate-LNA

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MB

Guest
Hi an alle,

Bitte Freunde Ich brauche eine Struktur einer gemeinsamen Gate-LNA.Wenn es möglich ist, brauche ich ein Papier von CG LNA.

Bitte es ist dringend notwendig.

Danke und gute Arbeit.

 
Transistor, die Sie verwenden?
Was ist die Frequenz?NF?

Seien Sie spezifisch.Wenn Sie 1 GHz dann 10 GHz LNA wird euch nicht helfen oder CMOS LNA Papier wird nicht hilfreich sein.

 
Vielen Dank für Ihre Antwort,

In der Tat, ich brauchen einen CG LNA mit CMOS-Transistoren, was die Merkmale dieser Struktur, weil ich muss es für die Anwendung des Algorithmus.

Gute Arbeit und haben einen schönen Tag.

 
http://www.zen118213.zen.co.uk/RFIC_Circuits_Files/MOS_CG_LNA.pdf
Ich denke, das wird gut.

 
Gemeinsame Tor (oder eine entsprechende gemeinsame Basis) Verstärker sind wirklich nicht geringe Geräuschentwicklung.Es ist kaum möglich, besser als 5 dB NF.Der Grund dafür ist, dass für Fmin, Gamma-und Opt * S11 sind zu weit voneinander entfernt.Eine Simulation mit den korrekten Daten wird zeigen, dass Fmin <<NF becausee der entsprechenden Bedürfnisse.Eine bessere Wahl, meiner Meinung nach ist ein cascode mit dem ersten FET mit Source-und Gate-Degeneration oder ein Derivat davon.Ein NF von
ca. 1 dB möglich ist mit einem Tschebyscheff Polynome abgeleitet Breitband passender Filter, wenn möglich außerhalb des Chips.Die jüngsten Arbeiten der IEEE MTT-Journal geben mehr Einblick.

Während die oben genannten geerdet Tor-Anwendung ist eine sehr schöne Behandlung, es nicht die geringste mögliche NF.

 
Hi.
Haben Sie Papier mit Kaskadierung von FET für Breitband-LNA?
Außerdem glaube ich, sollten wir nicht sagen, gemeinsame Gate-LNA nicht mehr, sollte es gemeinsame Gate Verstärker insted.Seit seiner NF hoch ist es passt nicht in LNA Definition.

 
Ich werde versuchen, eine cascode LNA Schaltung in der IEEE-Papiere gibt es keine Magie, um sie
Zuletzt bearbeitet von N1UL am
19. Apr 2009 14:56, edited 1-mal in insgesamt

 
Dies ist wahrscheinlich die beste Zusammenfassung ich finden konnte auf geringe Geräuschentwicklung CMOS-Eingangsstufenhttp://www.eecg.utoronto.ca/ ~ kphang/ece1371/CMOS_LNAs1.pdf

 
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