ESD-Schutz

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D

Daniel Tschetmotor

Guest
Hätte da mal ne Frage zu meinem letzten Post wegen Schutzbeschaltung...
Ich bin jetzt auf der Suche nach ner ESD-Schutz-Diode(Schottky) mit
möglichst kleinem Leckstrom(reverse current). Es geht bisher mit 2
standard-dioden gegen pos und neg Versorgung, aber ich bekomm nen Offset
auf mein Signal der stark unerwünscht ist. Was kann ich da machen?
Danke für die Hilfe(mal wieder)!
 
Hi,
Daniel Tschetmotor schrieb:

Hätte da mal ne Frage zu meinem letzten Post wegen Schutzbeschaltung...
Ich bin jetzt auf der Suche nach ner ESD-Schutz-Diode(Schottky) mit
möglichst kleinem Leckstrom(reverse current). Es geht bisher mit 2
standard-dioden gegen pos und neg Versorgung, aber ich bekomm nen Offset
auf mein Signal der stark unerwünscht ist. Was kann ich da machen?
Danke für die Hilfe(mal wieder)!

Ist der zu schützende Eingang sehr hochohmig?
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--
Gruß
Rüdiger

http://www.conelek.com/
 
Daniel Tschetmotor <me9@privacy.net> schrieb im Beitrag <ccdcqn$p16$01$1@news.t-online.com>...

Ich bin jetzt auf der Suche nach ner ESD-Schutz-Diode(Schottky) mit
möglichst kleinem Leckstrom(reverse current).

Schottkys haen einen eher hohen Leckstrom. Ist halt so.
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Es geht bisher mit 2
standard-dioden gegen pos und neg Versorgung, aber ich bekomm nen Offset
auf mein Signal der stark unerwünscht ist. Was kann ich da machen?
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Nanu, echt ein Offset ? Oder verschieden je nach Eingangsspannung ?
--
Manfred Winterhoff, reply-to invalid, use mawin at despammed.com
homepage: http://www.geocities.com/mwinterhoff/
de.sci.electronics FAQ: http://dse-faq.elektronik-kompendium.de/
Read 'Art of Electronics' Horowitz/Hill before you ask.
Lese 'Hohe Schule der Elektronik 1+2' bevor du fragst.
 
Es geht bisher mit 2 standard-dioden gegen pos und neg Versorgung,
aber ich bekomm nen Offset auf mein Signal der stark unerwünscht ist. > Was kann ich da machen?
Die Leiterplatte passend gegen die Lampe über dem Arbeitsplatz
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ausrichten, damit sich der Fotostrom durch beide Dioden ausgleicht.

MfG JRD
 
Hallo Daniel,

Der Leckstrom von Diodenpaaren wie BAV99 ist doch sehr winzig. Lass uns
mal wissen, was die Anwendung ist, wie hochohmig, Signalpegel etc. Oder
einfach die Schaltung auf a.b.s.e laden (zu neudeutsch "posten", oder in
neu-schwaebisch "poschten").

Gruesse, Joerg

http://www.analogconsultants.com
 
Hallo Matthias,

Zum OP, falls selbst Kleinleistungs-Si-Dioden zuviel Leckstrom (ein
paar nA) haben, versuche mal die Diode eines JFET's (nur pA).
Ob die JFET Dioden allerdings noch ESD-Schutzfunktion bieten wuerde
ich erstmal bezweifeln.


Ohne groesseren Umstand wie Kunstharzverguss geht das wohl nur tagsueber
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in der Sahara, wenn die Luftfeuchte unter 1% liegt. Und das naechste
Kohlekraftwerk sollte mindestens 2000km entfernt sein ;-)

Gruesse, Joerg

http://www.analogconsultants.com
 
Danke für die informativen und amüsanten Antworten. Hat sich
erledigt,der FET-Eingang hat ca. 1GOhm Eingangswiderstand, habe in Reihe
einen Kondensator vor die Schutzbeschaltung geklemmt, also nur noch
AC-gekoppelt. Damit habe ich den DC-Anteil weg. Der wird nicht benötigt,
habe ich vergessen zu erwähnen.

+-|>|-- +V C
--R--+-----------------||------ OpAmp Eingang
+-|<|-- -V

Die untere Grenzfrequenz durch den C und R hierdurch spielt in meiner
Anwendung sowieso keine Rolle, kann das also bedenkenlos machen.(keine
Ahnung ob das der korrekte Ausdruck dafür ist?!?)
MfG Daniel
 
Rafael Deliano <Rafael_Deliano@t-online.de> wrote in
news:40EA5EEF.BD61FBAC@t-online.de:

Es geht bisher mit 2 standard-dioden gegen pos und neg
Versorgung, aber ich bekomm nen Offset auf mein Signal der stark
unerwünscht ist. > Was kann ich da machen?
Die Leiterplatte passend gegen die Lampe über dem Arbeitsplatz
ausrichten, damit sich der Fotostrom durch beide Dioden
ausgleicht.
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LOL; jaja so ist das mit der Praxis und der Theorie. Bei der 4148-
Glasperle steht im Datenblatt was von nur 2nA Sperrstrom; das die aber
offen ist und selber sehr viel mehr Strom erzeugt, davon ist im
Datenblatt nix erwähnt. Gab es da nicht mal Maeuse, die nur gingen,
wenn die Hand richtig drauflag?

Wenn der Offset wirklich so massiv ist, könnte man auch mal versuchen,
die eine Diode andersherum einzulöten :)))).

Zum OP, falls selbst Kleinleistungs-Si-Dioden zuviel Leckstrom (ein
paar nA) haben, versuche mal die Diode eines JFET's (nur pA).
Ob die JFET Dioden allerdings noch ESD-Schutzfunktion bieten wuerde
ich erstmal bezweifeln.

Wenn sowieso alles schon ziemlich hochohmig bist, dann brauchst du die
Dioden womöglich gar nicht. Ein grosser R in Reihe zum Pin reicht auch.
(moglichst grosse Bauform, damit der Funken nicht ueber den R springt).

M.
--
Bitte auf mwnews2@pentax.boerde.de antworten.
 
Daniel Tschetmotor <me9@privacy.net> schrieb im Beitrag <ccfbgt$4hf$05$1@news.t-online.com>...

Damit habe ich den DC-Anteil weg. Der wird nicht benötigt,
habe ich vergessen zu erwähnen.

+-|>|-- +V C
--R--+-----------------||------ OpAmp Eingang
+-|<|-- -V

Das meinst du jetzt nicht ernst, einen floatenden Eingang, oder ?
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--
Manfred Winterhoff, reply-to invalid, use mawin at despammed.com
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Übliche Schaltung für invertierende OPs
( oder ohne R1 Strom/Spanmnungswandler )
mit bipolarer Versorgung, also echtem GND:

--R1--+-+-+--R2------
| | | |
K A |_|_ \ |
A K | >--+---
+-+---|+ /
|
GND

Bekanntlich sind diese Dioden in einigen OPs
zum Schrecken von Leuten die Datenblätter nicht
lesen bereits eingebaut.
Für hochverstärkende nichtinvertierende OPs
wo das Eingangssignal ohnehin nicht grösser als
+/-250mV wird genauso möglich:

GND --R1---+--R2------
| |
|_|_ \ |
| >--+---
--R3--+-+---|+ /
| |
K A
A K
| |
+-+
|
GND


Prinzipiell sind bei grossem Eingangsspannungsbereich
statt echter Masse Servos denkbar, wie sie ja auch
zum Treiben von Kabelschirmen üblich sind:

+---------+
| |
|_|_ \ |
| >--+-------+----
--R3--+-+---|+ / |
| | |
K A |
A K Vcc |
| | | +---------+ |
| | C1 | | |
| | | | / - |-+ |
+-+---+--+-< | |
| \ + |----
C2
|
GND


Gegen ESD kann man für Dioden die Ausgangsimpedanz
durch Kondensatoren verbessern wenn der Servo-OP
( z.B. ein LM358 ) gutmütig ist. Die Lösung
begrenzt aber die Bandbreite.

MfG JRD
 
+-|>|-- +V C
--R--+-----------------||------ OpAmp Eingang
+-|<|-- -V

Das meinst du jetzt nicht ernst, einen floatenden Eingang, oder ?
Doch!
Und was passiert wenn Mutti die Leiterplatte putzt und der 100 MOhm
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Biaswiderstand Marke "Flux & Schmutz" weg ist ?

MfG JRD
 
Am Wed, 07 Jul 2004 11:36:49 +0200 hat Daniel Tschetmotor
<me9@privacy.net> geschrieben:

Doch!
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Dann wirst du sehr wahrscheinlich einen Offset bekommen (so es überhaupt
noch geht). Die DC Impedanz der Eingangsbeschaltung von OPVs sollte bei
+ und - möglichst gleich sein, sonst verursacht der Eingangsbiasstrom eine
Offsetspannung. Wenn sie gleich ist dann verursacht nur der
Eingangsoffsetstrom (das ist die Differenz der Biasströme der beiden
Eingänge) eine Offsetspannung.

--
Martin
 
Matthias Weingart wrote:
Die Leiterplatte passend gegen die Lampe über dem Arbeitsplatz
ausrichten, damit sich der Fotostrom durch beide Dioden
ausgleicht.

LOL; jaja so ist das mit der Praxis und der Theorie. Bei der 4148-
Glasperle steht im Datenblatt was von nur 2nA Sperrstrom; das die aber
offen ist und selber sehr viel mehr Strom erzeugt, davon ist im
Datenblatt nix erwähnt. Gab es da nicht mal Maeuse, die nur gingen,
wenn die Hand richtig drauflag?

Zum OP, falls selbst Kleinleistungs-Si-Dioden zuviel Leckstrom (ein
paar nA) haben, versuche mal die Diode eines JFET's (nur pA).
Ob die JFET Dioden allerdings noch ESD-Schutzfunktion bieten wuerde
ich erstmal bezweifeln.
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1N914-Abkömmlinge sind Computerdioden, durch hemmungslose
Golddotierung auf maximale Geschwindigkeit hingemurxt.
Das damit der Sperrstrom in Dimensionen gerät, wie man
sie von TTL-OpenCollector-Ausgängen zu fürchten gelernt
hat, darf also nicht weiter verwundern. Möchte man eine
Low-Leakage Diode, so empfiehlt sich die Verwendung einer
Low-Leakage Diode. :-]

--
mfg Rolf Bombach
 
Rolf Bombach <rolfnospambombach@bluewin.ch> wrote in news:40f11f95_3
@news.bluewin.ch:

M”chte man eine
Low-Leakage Diode, so empfiehlt sich die Verwendung einer
Low-Leakage Diode. :-]
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.... sofern man denn eine passende bekommt, JFETS scheint man da (noch?)
leichter zu bekommen, sogar in SMD. (man muss aber schon rechnen, ob
der Isowiderstand des FR4 zwischen den Pins nicht schlechter ist, als
die Diode).

M.
--
Bitte auf mwnews2@pentax.boerde.de antworten.
 
Matthias Weingart wrote:
M”chte man eine
Low-Leakage Diode, so empfiehlt sich die Verwendung einer
Low-Leakage Diode. :-]

.... sofern man denn eine passende bekommt, JFETS scheint man da (noch?)
leichter zu bekommen, sogar in SMD. (man muss aber schon rechnen, ob
der Isowiderstand des FR4 zwischen den Pins nicht schlechter ist, als
die Diode).
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FETs sind berechtigte Notwehr ;-). Oft auch billiger. Ich
zehr noch von einer Tüte BAS45A unbekannter Provenienz.
Aber auch Glasgehäuse... Jedenfalls macht die Diode aus
den Mikroampere Nanoampere, allerdings auch aus den
Nanosekunden Mikrosekunden :-[. 125 V, 1 nA, 4 pF, 1.5us(?).
Ich glaub, die hat in der Apotheke etwa 50c gekostet.

--
mfg Rolf Bombach
 
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