J
Jakob
Guest
Hallo zusammen,
wir haben folgendes Problem:
Wir haben einen Schwingkreis, durch den ein Puls
(1-20 MHz, 400V (Peak-Peak)) geschickt wird, um
in der Spule ein hochfrequentes B-Feld zu erzeugen.
Kurz nach diesem Puls, einige mykrosec., soll der
Schwingkreis aber für Messungen zur Verfügung stehen,
also möglichst nicht mehr nachschwingen. Einfach R
erhöhen geht leider nicht, da dann die Sensitivität
verloren gehen würde.
Wir hatten uns überlegt, die Kapazität im Schwingkreis
nach dem Puls mit einem Hochleistungstransistor kurzzuschliessen.
Allerdings soll der Schwingkreis auch bei tiefen Temperaturen arbeiten
(<50 K) was die Verwendung von Halbleitern äusserst schwierig macht.
Es wäre denkbar, den Transistor ausserhalb des Kryostaten
(quasi der ,,Kühlschrank"), also bei Raumtemperatur zu lassen,
in diesem Fall würden aber die Leitungen von Kollektor und
Emitter in Kryostaten hinein wie Antennen wirken, wer weiss
was man dann am Ende misst ...
Hat jemand eine gute Idee?
Vielen Dank im Voraus
Jakob
wir haben folgendes Problem:
Wir haben einen Schwingkreis, durch den ein Puls
(1-20 MHz, 400V (Peak-Peak)) geschickt wird, um
in der Spule ein hochfrequentes B-Feld zu erzeugen.
Kurz nach diesem Puls, einige mykrosec., soll der
Schwingkreis aber für Messungen zur Verfügung stehen,
also möglichst nicht mehr nachschwingen. Einfach R
erhöhen geht leider nicht, da dann die Sensitivität
verloren gehen würde.
Wir hatten uns überlegt, die Kapazität im Schwingkreis
nach dem Puls mit einem Hochleistungstransistor kurzzuschliessen.
Allerdings soll der Schwingkreis auch bei tiefen Temperaturen arbeiten
(<50 K) was die Verwendung von Halbleitern äusserst schwierig macht.
Es wäre denkbar, den Transistor ausserhalb des Kryostaten
(quasi der ,,Kühlschrank"), also bei Raumtemperatur zu lassen,
in diesem Fall würden aber die Leitungen von Kollektor und
Emitter in Kryostaten hinein wie Antennen wirken, wer weiss
was man dann am Ende misst ...
Hat jemand eine gute Idee?
Vielen Dank im Voraus
Jakob